| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第1章 绪论 | 第18-32页 |
| 1.1 扫描电子显微镜中的二次电子 | 第18-26页 |
| 1.1.1 扫描电子显微镜的原理及发展 | 第18-21页 |
| 1.1.2 二次电子实验观测的发展 | 第21-26页 |
| 1.2 二次电子出射的数值模拟 | 第26-32页 |
| 1.2.1 电子与固体相互作用概述 | 第26-28页 |
| 1.2.2 二次电子产生的理论描述及数值模拟方法 | 第28-32页 |
| 第2章 二次电子的Monte Carlo模拟研究 | 第32-54页 |
| 2.1 二次电子模拟的理论基础 | 第32-48页 |
| 2.1.1 电子在输运过程中的弹性散射 | 第34-40页 |
| 2.1.2 电子非弹性散射 | 第40-46页 |
| 2.1.3 二次电子级联的处理 | 第46-48页 |
| 2.2 Monte Carlo模拟的方法及步骤 | 第48-54页 |
| 第3章 二次电子信号的表面灵敏性 | 第54-70页 |
| 3.1 表面灵敏性的表征参数 | 第54-56页 |
| 3.2 逸出深度的模拟理论 | 第56-57页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第57-65页 |
| 3.4 小结和展望 | 第65-70页 |
| 第4章 基于二次电子模拟的MBL方法用于关键尺寸测量 | 第70-96页 |
| 4.1 研究背景 | 第70-76页 |
| 4.2 模型数据库的模拟 | 第76-85页 |
| 4.2.1 MBL模拟器的组成要素 | 第77-83页 |
| 4.2.2 样品结构参数与二次电子线扫描曲线 | 第83-85页 |
| 4.3 MBL方法用于CD测量的实现 | 第85-93页 |
| 4.3.1 实验图像的预处理 | 第88-89页 |
| 4.3.2 匹配过程及结果 | 第89-92页 |
| 4.3.3 误差分析 | 第92-93页 |
| 4.4 小结 | 第93-96页 |
| 第5章 多层样品的二次电子出射 | 第96-106页 |
| 5.1 研究背景 | 第96-97页 |
| 5.2 多层结构二次电子出射产额 | 第97-105页 |
| 5.2.1 二次电子信号的厚度衬度 | 第97-101页 |
| 5.2.2 Ni-C多层结构样品表面出射二次电子产额 | 第101-105页 |
| 5.3 小结和展望 | 第105-106页 |
| 第6章 水条件下二次电子模拟计算 | 第106-116页 |
| 6.1 研究背景 | 第106-108页 |
| 6.2 计算方法 | 第108-111页 |
| 6.3 水条件下材料的二次电子产额 | 第111-115页 |
| 6.4 小结 | 第115-116页 |
| 参考文献 | 第116-128页 |
| 致谢 | 第128-130页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第130-131页 |