| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-35页 |
| 1.1 THz波技术简介和研究现状 | 第11-22页 |
| 1.1.1 THz波技术简介 | 第11-12页 |
| 1.1.2 THz波技术在通信领域的应用 | 第12-18页 |
| 1.1.3 THz波调制器的研究进展 | 第18-22页 |
| 1.2 光子晶体简介和研究现状 | 第22-27页 |
| 1.2.1 光子晶体定义 | 第22-23页 |
| 1.2.2 光子晶体分类 | 第23-24页 |
| 1.2.3 光子晶体基本特性 | 第24页 |
| 1.2.4 光子晶体调制器原理 | 第24-26页 |
| 1.2.5 光子晶体THz波调制器的性能参数 | 第26-27页 |
| 1.3 光子晶体THz波调制器的研究进展 | 第27-32页 |
| 1.4 本论文的主要内容 | 第32-35页 |
| 1.4.1 主要内容与章节安排 | 第32-35页 |
| 第二章 光子晶体数值计算方法 | 第35-51页 |
| 2.1 平面波展开法 | 第35-42页 |
| 2.1.1 光子晶体的本征方程推导 | 第36-37页 |
| 2.1.2 平面波展开法的基本公式 | 第37-39页 |
| 2.1.3 多重晶格光子晶体带隙计算 | 第39-42页 |
| 2.2 时域有限差分法 | 第42-49页 |
| 2.2.1 基本公式 | 第43-47页 |
| 2.2.2 稳定性条件 | 第47-48页 |
| 2.2.3 吸收边界条件与激励源选择 | 第48-49页 |
| 2.3 本章小结 | 第49-51页 |
| 第三章 光子晶体多波长调制器的耦合模理论分析方法 | 第51-62页 |
| 3.1 单波长光子晶体调制器的时域耦合模理论分析 | 第51-58页 |
| 3.1.1 直接耦合结构的光子晶体单波长调制器 | 第51-52页 |
| 3.1.2 侧耦合结构的光子晶体单波长调制器 | 第52-54页 |
| 3.1.3 光子晶体多模式调制器的时域耦合模理论分析 | 第54-58页 |
| 3.2 组合微腔缺陷模的耦合模理论分析 | 第58-61页 |
| 3.3 本章小结 | 第61-62页 |
| 第四章 基于复式晶格光子晶体光控多波长THz波调制器的特性分析 | 第62-76页 |
| 4.1 基于复式晶格直接耦合结构的四波长THz波调制器 | 第62-68页 |
| 4.1.1 直接耦合结构调制器的结构模型 | 第62-65页 |
| 4.1.2 直接耦合结构四波长THz波的调制特性 | 第65-67页 |
| 4.1.3 直接耦合结构太赫兹波调制器的性能优化 | 第67-68页 |
| 4.2 基于复式晶格四波长THz波调制器直接耦合结构与侧耦合结构的性能比较 | 第68-71页 |
| 4.2.1 缺陷模特性仿真与分析 | 第69页 |
| 4.2.2 调制性能比较 | 第69-71页 |
| 4.3 基于复式晶格的六波长THz波调制器 | 第71-75页 |
| 4.3.1 基于复式晶格的六波长缺陷模谐振特性 | 第71-72页 |
| 4.3.2 基于复式晶格直接耦合结构六波长THz波调制器 | 第72-73页 |
| 4.3.3 基于复式晶格异侧耦合结构六波长THz波调制器结构模型 | 第73页 |
| 4.3.4 基于复式晶格异侧耦合结构的六波长THz波的调制性能分析 | 第73-75页 |
| 4.4 本章小结 | 第75-76页 |
| 第五章 基于三重晶格光子晶体光控多波长THz波调制器的特性分析 | 第76-105页 |
| 5.1 基于三重晶格单腔的三波长THz波调制器 | 第76-84页 |
| 5.1.1 三重晶格单腔三波长THz波调制器的结构模型 | 第76-80页 |
| 5.1.2 三重晶格单腔三波长THz波的调制特性 | 第80-84页 |
| 5.2 运用FDTD法和CMT理论对基于三重晶格组合微腔缺陷模的性能研究 | 第84-91页 |
| 5.2.1 对相同点腔构成的线型组合微腔的缺陷模进行分析 | 第84-88页 |
| 5.2.2 对不同点腔构成的线型组合微腔的缺陷模进行分析 | 第88-91页 |
| 5.3 基于三重晶格组合微腔的多波长THz波调制器 | 第91-104页 |
| 5.3.1 基于三重晶格不同点腔构成组合微腔的四波长THz波调制器 | 第92-95页 |
| 5.3.2 基于三重晶格组合微腔与复式晶格结构的四波长THz波调制器的性能比较 | 第95页 |
| 5.3.3 三重晶格相同点腔构成组合微腔的多波长THz波调制器 | 第95-103页 |
| 5.3.4 基于三重晶格组合微腔与复式晶格结构的六波长THz波调制器的性能比较 | 第103-104页 |
| 5.4 本章小结 | 第104-105页 |
| 第六章 基于磁化等离子体光子晶体的磁控THz波调制器的特性分析 | 第105-130页 |
| 6.1 磁化等离子体光子晶体的介电张量模型 | 第105-110页 |
| 6.1.1 垂直于磁场传播的TE波磁化等离子体 | 第106-108页 |
| 6.1.2 平行于磁场传播的TE波磁化等离子体 | 第108-110页 |
| 6.2 磁化等离子体光子晶体点缺陷的特性分析 | 第110-119页 |
| 6.2.1 垂直磁场方向传播的缺陷模谐振特性 | 第110-117页 |
| 6.2.2 平行磁场方向传播的缺陷模谐振特性 | 第117-119页 |
| 6.3 垂直于磁场传播的磁化等离子体THz波调制器 | 第119-127页 |
| 6.3.1 垂直磁场传播的缺陷模迁移型THz波调制器 | 第121-123页 |
| 6.3.2 垂直磁场传播的缺陷模消失型THz波调制器 | 第123-127页 |
| 6.4 平行于磁场传播的磁化等离子体THz波调制器 | 第127-128页 |
| 6.5 本章小结 | 第128-130页 |
| 第七章 总结与展望 | 第130-133页 |
| 7.1 全文总结 | 第130-132页 |
| 7.2 展望和建议 | 第132-133页 |
| 参考文献 | 第133-139页 |
| 附录2 攻读博士学位期间撰写的论文 | 第139-140页 |
| 附录3 攻读博士学位期间申请的专利 | 第140-141页 |
| 附录4 攻读博士学位期间参加的科研项目 | 第141-142页 |
| 致谢 | 第142页 |
