| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章：绪论 | 第11-39页 |
| 1.1 半导体硅纳米材料研究背景 | 第11页 |
| 1.2 半导体纳米线制备技术概述 | 第11-19页 |
| 1.3 半导体硅纳米线的应用 | 第19-23页 |
| 1.4 自组装生长平面半导体纳米线概述 | 第23-30页 |
| 1.5 本论文主要内容 | 第30-33页 |
| 参考文献 | 第33-39页 |
| 第二章：平面硅纳米线生长机理和调控 | 第39-59页 |
| 2.1 引言 | 第39-40页 |
| 2.2 平面硅纳米线生长过程及基本模型 | 第40-42页 |
| 2.3 平面纳米线生长的关键调控参量 | 第42-51页 |
| 2.4 平面硅纳米线生长调控 | 第51-56页 |
| 2.5 小结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 第三章：平面硅纳米线的引导定位技术和器件特性 | 第59-83页 |
| 3.1 引言 | 第59-60页 |
| 3.2 平面硅纳米线台阶引导生长调控 | 第60-66页 |
| 3.3 平面硅纳米线模型建立及分析 | 第66-74页 |
| 3.4 平面硅纳米线器件制备及性能测试 | 第74-80页 |
| 3.5 小结 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-83页 |
| 第四章：硅衬底上平面硅纳米线外延引导生长调控 | 第83-103页 |
| 4.1 引言 | 第83-84页 |
| 4.2 Si(100)衬底上外延引导生长平面硅纳米线的实验过程 | 第84-85页 |
| 4.3 实验结果分析讨论 | 第85-97页 |
| 4.4 外延生长机理讨论分析 | 第97-99页 |
| 4.5 小结 | 第99-100页 |
| 参考文献 | 第100-103页 |
| 第五章：蓝宝石衬底上平面硅纳米线外延生长调控 | 第103-125页 |
| 5.1 引言 | 第103-105页 |
| 5.2 外延硅纳米线生长过程 | 第105页 |
| 5.3 实验结果分析讨论 | 第105-114页 |
| 5.4 蓝宝石衬底外延生长机理讨论及分析 | 第114-119页 |
| 5.5 硅纳米线器件制备及电学特性测试 | 第119-121页 |
| 5.6 小结 | 第121-123页 |
| 参考文献 | 第123-125页 |
| 第六章：结论与展望 | 第125-129页 |
| 6.1 结论 | 第125-126页 |
| 6.2 展望 | 第126-129页 |
| 攻读博士期间发表的论文 | 第129-132页 |
| 致谢 | 第132-134页 |