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闪速存储上的信号检测

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
符号对照表第11-12页
缩略语对照表第12-15页
第一章 绪论第15-19页
    1.1 非易失性存储第15-16页
    1.2 NAND闪存研究背景及进展第16-18页
    1.3 论文研究内容及安排第18-19页
第二章 NAND闪存信道模型第19-31页
    2.1 NAND闪存的结构第19-21页
    2.2 NAND闪存的信道模型第21-29页
        2.2.1 NAND闪存单元的编写与擦除第21-22页
        2.2.2 NAND闪存信道中的几种主要干扰第22-24页
        2.2.3 NAND闪存信道模型的建立第24-29页
    2.3 本章小结第29-31页
第三章 针对C2CI的信号处理与编写结构设计第31-51页
    3.1 针对C2CI的信号处理方法第31-37页
        3.1.1 后补偿方法及预失真方法第31-33页
        3.1.2 高斯近似方法第33-35页
        3.1.3 几种方法的对比分析第35-37页
    3.2 NAND闪存单元的交叉编写第37-44页
        3.2.1 编写方法的研究进展第37-38页
        3.2.2 交叉编写方法第38-42页
        3.2.3 改进的交叉编写方法第42-44页
    3.3 NAND闪存单元的空间调制编写方法第44-48页
    3.4 本章小结第48-51页
第四章 动态门限检测方法第51-63页
    4.1 利用平衡编码实现动态门限第51-56页
        4.1.1 动态门限的概念第51-53页
        4.1.2 平衡编码简介第53-55页
        4.1.3 动态门限的实现及仿真第55-56页
    4.2 同时处理C2CI及RPN的信号检测方案第56-61页
    4.3 本章小结第61-63页
第五章 总结与展望第63-65页
参考文献第65-69页
致谢第69-71页
作者简介第71-72页

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