首页--工业技术论文--电工技术论文--电器论文--开关电器、断路器论文--各种开关论文--隔离开关论文

特高压GIS隔离开关开合短母线仿真研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第9-16页
    1.1 课题研究背景及意义第9-10页
    1.2 国内外研究现状第10-15页
    1.3 课题主要研究内容第15-16页
第2章 VFTO产生机理及仿真计算第16-28页
    2.1 VFTO形成机理分析第16-17页
    2.2 GIS瞬态特性仿真理论第17-22页
        2.2.1 电气设备电磁暂态仿真数学模型第17-20页
        2.2.2 GIS变电站设备等效模型第20-22页
    2.3 隔离开关电弧模型对VFTO的影响仿真研究第22-25页
        2.3.1 特高压GIS隔离开关开合短母线仿真回路第22-23页
        2.3.2 不同的隔离开关电弧模型下VFTO的仿真分析第23-25页
    2.4 电弧模型参数影响因素及对VFTO的影响第25-27页
    2.5 本章小结第27-28页
第3章 重复击穿过程建模及仿真研究分析第28-41页
    3.1 隔离开关触头间隙击穿特性计算第28-33页
        3.1.1 电场有限元数值计算原理第28-30页
        3.1.2 GIS隔离开关建模及电场仿真计算第30-31页
        3.1.3 触头间隙击穿特性的计算第31-33页
    3.2 GIS隔离开关开合短母线仿真建模第33-37页
        3.2.1 特高压GIS隔离开关重复击穿机理第33-34页
        3.2.2 重复击穿过程仿真模型搭建第34-37页
    3.3 隔离开关分合闸过程仿真分析第37-39页
        3.3.1 重复击穿过程电压波形仿真分析第37-38页
        3.3.2 重复击穿过程电流波形仿真分析第38-39页
    3.4 触头间隙击穿电压对高频暂态脉冲幅值的影响第39-40页
    3.5 本章小结第40-41页
第4章 特高压GIS隔离开关重复击穿过程影响因素研究第41-53页
    4.1 不同触头形状下的间隙击穿特性第41-42页
        4.1.1 开关设计对触头间隙电场分布影响分析第41-42页
        4.1.2 不同触头形状下间隙击穿特性计算第42页
    4.2 触头形状对重复击穿过程的影响研究第42-48页
        4.2.1 不同击穿电压特性下重复击穿模型第42-43页
        4.2.2 触头形状对分闸过程影响第43-45页
        4.2.3 触头形状对合闸过程影响第45-48页
    4.3 残余电压对合闸过程的影响仿真研究第48-52页
        4.3.1 残压对合闸过程VFTO最大值的影响第49-50页
        4.3.2 残压对合闸过程重复击穿次数和持续击穿时间的影响第50-52页
    4.4 本章小结第52-53页
第5章 结论第53-54页
参考文献第54-58页
在学研究成果第58-59页
致谢第59页

论文共59页,点击 下载论文
上一篇:基于2,6-吡啶二羧酸的稀土金属—有机框架的合成及发光性能调控研究
下一篇:复合半导体光催化材料的设计及其在光解水制氢中的应用