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硅基Ka波段全射频相控阵发射机研究与设计

摘要第6-8页
Abstract第8-9页
第一章 绪论第13-27页
    1.1 研究背景与意义第13-14页
    1.2 毫米波相控阵收发机的国内外研究现状第14-21页
    1.3 毫米波功率放大器的国内外研究现状第21-26页
    1.4 本文的主要研究内容第26-27页
第二章 相控阵技术和相移器的基础理论第27-37页
    2.1 相控阵技术第27-30页
    2.2 相移器的移相原理第30-31页
    2.3 相移器的基本指标第31-33页
        2.3.1 工作带宽第31页
        2.3.2 移相精度第31-32页
        2.3.3 相位误差第32页
        2.3.4 增益误差第32页
        2.3.5 插入损耗第32-33页
    2.4 相移器的常见类型第33-36页
    2.5 本章小结第36-37页
第三章 功率放大器的基础理论第37-47页
    3.1 功率放大器的基本指标第37-40页
        3.1.1 输出功率第37页
        3.1.2 功率增益第37页
        3.1.3 效率第37-38页
        3.1.4 线性度第38-40页
    3.2 功率放大器的分类第40-44页
        3.2.1 A类功率放大器第41-42页
        3.2.2 B类功率放大器第42-43页
        3.2.3 C类功率放大器第43-44页
    3.3 load-pull技术第44-45页
    3.4 本章小结第45-47页
第四章 Ka-band Wilkinson功分器的设计第47-52页
    4.1 Wilkinson功分器的奇偶模分析第47-48页
    4.2 Ka-band 1:4 Wilkinson功分器的设计第48-49页
    4.3 Ka-band 1:4 Wilkinson功分器的版图和后仿真第49-51页
    4.4 本章小结第51-52页
第五章 4-bit Ka-band相移器的设计第52-64页
    5.1 开关LC延时相移器的工作原理第52-56页
    5.2 4-bit Ka-band相移器各子模块的电路和版图设计第56-60页
    5.3 4-bit Ka-band相移器版图设计和后仿真第60-63页
    5.4 本章小结第63-64页
第六章 Ka-band功率放大器的设计第64-86页
    6.1 电路的设计指标第64页
    6.2 电路结构的选取第64-65页
    6.3 功率级电路设计第65-76页
        6.3.1 MOS管尺寸的选取与版图的设计第65-69页
        6.3.2 伪差分cascode结构的稳定性分析第69-71页
        6.3.3 cascode级间电感的设计第71-72页
        6.3.4 功率级匹配电路的设计第72-74页
        6.3.5 功率级电路的后仿真第74-76页
    6.4 驱动级电路的设计第76-79页
        6.4.1 驱动级电路MOS管和输入balun的设计第76-79页
        6.4.2 驱动级电路的后仿真第79页
    6.5 级间匹配电路的设计第79-80页
    6.6 功率放大器的整体版图和后仿真第80-85页
    6.7 本章小结第85-86页
第七章 Ka-band单通道和四通道相控阵发射机版图和后仿真第86-93页
    7.1 Ka-band单通道相控阵发射机版图和后仿真第86-89页
    7.2 Ka-band四通道相控阵发射机版图和后仿真第89-91页
    7.3 本章小结第91-93页
第八章 总结与展望第93-96页
    8.1 总结第93-94页
    8.2 展望第94-96页
参考文献第96-101页
作者在硕士研究生期间发表的论文第101-102页
致谢第102页

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