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基于交织编码的SRAM加固技术评估体系研究

摘要第5-6页
abstract第6-7页
第一章 绪论第14-24页
    1.1 课题研究背景第14-18页
        1.1.1 SRAM加固层次及主要方法第15页
        1.1.2 几种常见的加固方法第15-18页
    1.2 课题研究现状第18-22页
    1.3 本课题的来源及工作内容第22页
    1.4 本论文组织结构第22-24页
第二章 SRAM单粒子效应研究以及交织的特点第24-33页
    2.1 粒子辐射来源第24-25页
    2.2 空间中子微分通量值及其分布第25页
    2.3 单粒子效应原理第25-28页
        2.3.1 单粒子效应介绍第25-26页
        2.3.2 SRAM存储单元翻转原理第26-27页
        2.3.3 单粒子效应的表征方法第27-28页
    2.4 SRAM错误的特点第28-31页
        2.4.1 SRAM错误图样第28-30页
        2.4.2 SRAM错误分布规律第30-31页
    2.5 交织联合SEC进行纠错的原理第31-32页
        2.5.1 SEC编码纠错原理第31-32页
        2.5.2 SRAM交织实现第32页
    2.6 本章小结第32-33页
第三章 基于交织联合SEC加固的SRAM软错误率的评估模型第33-55页
    3.1 空间中不同能量下单粒子效应发生概率的计算第34-38页
        3.1.1 空间中不同能量下中子微分通量的研究第35-36页
        3.1.2 不同工艺下的中子SRAM翻转截面的拟合第36-37页
        3.1.3 单次事件发生概率的计算以及仿真结果第37-38页
    3.2 180/130nm工艺下MBUs数目分布规律研究第38-40页
        3.2.1 180nm工艺下SRAM单粒子效应翻转数目建模第38页
        3.2.2 130nm工艺下SRAM单粒子效应翻转数目建模第38-40页
    3.3 单粒子效应在SRAM中的特性建模第40-49页
        3.3.1 空间环境的假设第41页
        3.3.2 MBUs的基本错误图样特点分析第41-42页
        3.3.3 引入MBUs的错误图样建模第42-46页
        3.3.4 两次辐射事件SRAM阵列中翻转位置重叠情况分析第46-47页
        3.3.5 考虑SRAM中两次事件翻转重叠修正模型第47-48页
        3.3.6 两次辐射事件下基于SRAM中的错误特性综合建模第48-49页
    3.4 交织联合SEC加固后的SRAM软错误率的计算及仿真第49-53页
        3.4.1 以时间为变量的加固SRAM后软错误率计算与对比分析第49-52页
        3.4.2 以中子能量值为变量的加固SRAM后软错误率计算与仿真第52-53页
    3.5 本章小结第53-55页
第四章 交织联合SEC加固后的SRAM评估系统设计与实现第55-79页
    4.1 Visual C++技术概述第55-57页
        4.1.1 Visual C++软件开发的基本流程第55-57页
    4.2 MFC程序框架设计原理第57-60页
        4.2.1 MFC多文档框架设计原理第57-60页
    4.3 MFC的消息映射第60-62页
        4.3.1 消息的结构第60-61页
        4.3.2 消息映射机制及实现方法第61-62页
    4.4 系统总体设计第62-64页
        4.4.1 系统总体框架设计第62-63页
        4.4.2 系统功能设计第63-64页
    4.5 系统的详细设计与实现第64-78页
        4.5.1 评估系统启动界面设计第64-65页
        4.5.2 系统登录功能设计与实现第65-67页
        4.5.3 系统主界面的设计与实现第67-68页
        4.5.4 用户管理功能模块的设计与实现第68-70页
        4.5.5 波形图设置功能模块设计与实现第70-71页
        4.5.6 波形图绘制的设计与实现第71-75页
        4.5.7 评估系统中算法的实现及结果第75-78页
    4.6 本章小结第78-79页
第五章 硬件仿真平台及结果分析第79-85页
    5.1 硬件仿真平台搭建第79-81页
        5.1.1 硬件仿真平台统计测试流程第79-80页
        5.1.2 硬件平台的框架结构第80-81页
    5.2 错误生成与注入第81-82页
    5.3 仿真测试与结果对比第82-84页
        5.3.1 硬件平台的仿真结果第82-83页
        5.3.2 不同工艺下软错误率的对比分析第83-84页
    5.4 本章小结第84-85页
第六章 总结与展望第85-87页
    6.1 本文创新点与工作内容第85-86页
        6.1.1 本文创新点第85-86页
        6.1.2 本文工作内容第86页
    6.2 展望第86-87页
致谢第87-88页
参考文献第88-93页
攻硕期间取得的研究成果第93-94页

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