摘要 | 第5-6页 |
abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第14-24页 |
1.1 课题研究背景 | 第14-18页 |
1.1.1 SRAM加固层次及主要方法 | 第15页 |
1.1.2 几种常见的加固方法 | 第15-18页 |
1.2 课题研究现状 | 第18-22页 |
1.3 本课题的来源及工作内容 | 第22页 |
1.4 本论文组织结构 | 第22-24页 |
第二章 SRAM单粒子效应研究以及交织的特点 | 第24-33页 |
2.1 粒子辐射来源 | 第24-25页 |
2.2 空间中子微分通量值及其分布 | 第25页 |
2.3 单粒子效应原理 | 第25-28页 |
2.3.1 单粒子效应介绍 | 第25-26页 |
2.3.2 SRAM存储单元翻转原理 | 第26-27页 |
2.3.3 单粒子效应的表征方法 | 第27-28页 |
2.4 SRAM错误的特点 | 第28-31页 |
2.4.1 SRAM错误图样 | 第28-30页 |
2.4.2 SRAM错误分布规律 | 第30-31页 |
2.5 交织联合SEC进行纠错的原理 | 第31-32页 |
2.5.1 SEC编码纠错原理 | 第31-32页 |
2.5.2 SRAM交织实现 | 第32页 |
2.6 本章小结 | 第32-33页 |
第三章 基于交织联合SEC加固的SRAM软错误率的评估模型 | 第33-55页 |
3.1 空间中不同能量下单粒子效应发生概率的计算 | 第34-38页 |
3.1.1 空间中不同能量下中子微分通量的研究 | 第35-36页 |
3.1.2 不同工艺下的中子SRAM翻转截面的拟合 | 第36-37页 |
3.1.3 单次事件发生概率的计算以及仿真结果 | 第37-38页 |
3.2 180/130nm工艺下MBUs数目分布规律研究 | 第38-40页 |
3.2.1 180nm工艺下SRAM单粒子效应翻转数目建模 | 第38页 |
3.2.2 130nm工艺下SRAM单粒子效应翻转数目建模 | 第38-40页 |
3.3 单粒子效应在SRAM中的特性建模 | 第40-49页 |
3.3.1 空间环境的假设 | 第41页 |
3.3.2 MBUs的基本错误图样特点分析 | 第41-42页 |
3.3.3 引入MBUs的错误图样建模 | 第42-46页 |
3.3.4 两次辐射事件SRAM阵列中翻转位置重叠情况分析 | 第46-47页 |
3.3.5 考虑SRAM中两次事件翻转重叠修正模型 | 第47-48页 |
3.3.6 两次辐射事件下基于SRAM中的错误特性综合建模 | 第48-49页 |
3.4 交织联合SEC加固后的SRAM软错误率的计算及仿真 | 第49-53页 |
3.4.1 以时间为变量的加固SRAM后软错误率计算与对比分析 | 第49-52页 |
3.4.2 以中子能量值为变量的加固SRAM后软错误率计算与仿真 | 第52-53页 |
3.5 本章小结 | 第53-55页 |
第四章 交织联合SEC加固后的SRAM评估系统设计与实现 | 第55-79页 |
4.1 Visual C++技术概述 | 第55-57页 |
4.1.1 Visual C++软件开发的基本流程 | 第55-57页 |
4.2 MFC程序框架设计原理 | 第57-60页 |
4.2.1 MFC多文档框架设计原理 | 第57-60页 |
4.3 MFC的消息映射 | 第60-62页 |
4.3.1 消息的结构 | 第60-61页 |
4.3.2 消息映射机制及实现方法 | 第61-62页 |
4.4 系统总体设计 | 第62-64页 |
4.4.1 系统总体框架设计 | 第62-63页 |
4.4.2 系统功能设计 | 第63-64页 |
4.5 系统的详细设计与实现 | 第64-78页 |
4.5.1 评估系统启动界面设计 | 第64-65页 |
4.5.2 系统登录功能设计与实现 | 第65-67页 |
4.5.3 系统主界面的设计与实现 | 第67-68页 |
4.5.4 用户管理功能模块的设计与实现 | 第68-70页 |
4.5.5 波形图设置功能模块设计与实现 | 第70-71页 |
4.5.6 波形图绘制的设计与实现 | 第71-75页 |
4.5.7 评估系统中算法的实现及结果 | 第75-78页 |
4.6 本章小结 | 第78-79页 |
第五章 硬件仿真平台及结果分析 | 第79-85页 |
5.1 硬件仿真平台搭建 | 第79-81页 |
5.1.1 硬件仿真平台统计测试流程 | 第79-80页 |
5.1.2 硬件平台的框架结构 | 第80-81页 |
5.2 错误生成与注入 | 第81-82页 |
5.3 仿真测试与结果对比 | 第82-84页 |
5.3.1 硬件平台的仿真结果 | 第82-83页 |
5.3.2 不同工艺下软错误率的对比分析 | 第83-84页 |
5.4 本章小结 | 第84-85页 |
第六章 总结与展望 | 第85-87页 |
6.1 本文创新点与工作内容 | 第85-86页 |
6.1.1 本文创新点 | 第85-86页 |
6.1.2 本文工作内容 | 第86页 |
6.2 展望 | 第86-87页 |
致谢 | 第87-88页 |
参考文献 | 第88-93页 |
攻硕期间取得的研究成果 | 第93-94页 |