| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第12-19页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 MoS_2单层 | 第13-14页 |
| 1.3 功能化MoS_2单层的研究进展 | 第14-17页 |
| 1.3.1 MoS_2单层的非共价功能化研究 | 第14-16页 |
| 1.3.2 MoS_2单层的共价功能化研究 | 第16-17页 |
| 1.4 本文研究的目的和内容 | 第17-19页 |
| 第2章 理论基础和计算方法 | 第19-25页 |
| 2.1 理论背景 | 第19-21页 |
| 2.1.1 薛定谔方程 | 第19页 |
| 2.1.2 Born-Oppenheimer近似 | 第19-20页 |
| 2.1.3 Hartree-Fock近似 | 第20-21页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第21-23页 |
| 2.2.1 Thomas-Fermi-Dirac模型 | 第21页 |
| 2.2.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第21-22页 |
| 2.2.3 Kohn-Sham方程 | 第22-23页 |
| 2.3 非平衡格林函数 | 第23页 |
| 2.4 计算软件 | 第23-24页 |
| 2.4.1 SIESTA软件 | 第23-24页 |
| 2.4.2 ATK软件 | 第24页 |
| 2.5 本章小结 | 第24-25页 |
| 第3章 共价功能化对MoS_2单层电子结构调控研究 | 第25-36页 |
| 3.1 引言 | 第25页 |
| 3.2 计算方法 | 第25-26页 |
| 3.3 结果与分析 | 第26-35页 |
| 3.3.1 不同接枝官能团对MoS_2单层电子结构的调控 | 第26-33页 |
| 3.3.2 不同接枝密度对MoS_2单层电子结构的影响 | 第33-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第4章 共价功能化MoS_2单层的电子输运性质研究 | 第36-52页 |
| 4.1 引言 | 第36页 |
| 4.2 计算方法 | 第36-37页 |
| 4.3 结果与分析 | 第37-51页 |
| 4.3.1 不同接枝官能团对MoS_2单层电子输运性质的影响 | 第37-47页 |
| 4.3.2 不同接枝密度对MoS_2单层电子输运性质的调控 | 第47-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-60页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
