| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-19页 |
| ·背景介绍 | 第8页 |
| ·研究热点 | 第8-13页 |
| ·铁电存储器(FeRAM) | 第8-10页 |
| ·磁存储器(MRAM) | 第10-11页 |
| ·相变存储器(PCRAM) | 第11-12页 |
| ·阻变存储器(ReRAM) | 第12-13页 |
| ·机制介绍 | 第13-16页 |
| ·灯丝理论 | 第14页 |
| ·导电通道理论（Conducting path） | 第14-15页 |
| ·Charge-trap in small domains | 第15-16页 |
| ·发展前景 | 第16-18页 |
| ·本论文的意义和内容 | 第18-19页 |
| 2 PS 微球调制对 Pt/IGZO/Al 结构器件 reset 过程的影响 | 第19-24页 |
| ·前言 | 第19页 |
| ·实验 | 第19页 |
| ·结果与讨论 | 第19-23页 |
| ·器件的电学特性表征 | 第19-23页 |
| ·机制的讨论 | 第23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 3 ZnO 纳米线/有机物柔性阻变式随机存储器 | 第24-29页 |
| ·前言 | 第24页 |
| ·实验 | 第24-25页 |
| ·结果与讨论 | 第25-28页 |
| ·ZnO 纳米线表征 | 第25页 |
| ·器件的电学特性表征 | 第25-26页 |
| ·机制的讨论 | 第26-27页 |
| ·器件的柔性特性 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 4 结论 | 第29-30页 |
| 5 参考文献 | 第30-35页 |
| 6 致谢 | 第35页 |