| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-18页 |
| 第一章 文献综述 | 第18-30页 |
| ·硫化矿晶体结构与可浮性 | 第18-20页 |
| ·硫化矿浮选电化学 | 第18-19页 |
| ·硫化矿晶体结构与可浮性关系 | 第19-20页 |
| ·晶格缺陷对硫化矿性质的影响 | 第20-26页 |
| ·硫化矿晶体中的缺陷 | 第20页 |
| ·晶格缺陷与性质关系 | 第20-26页 |
| ·晶格缺陷对硫化矿物药剂分子吸附行为的影响 | 第26-28页 |
| ·晶格缺陷对硫化矿氧分子吸附的影响 | 第26-27页 |
| ·晶格缺陷对硫化矿物抑制剂分子吸附的影响 | 第27页 |
| ·晶格缺陷对硫化矿捕收剂分子吸附的影响 | 第27-28页 |
| ·硫化矿浮选量子化学研究 | 第28-29页 |
| ·论文选题意义 | 第29-30页 |
| 第二章 晶格缺陷对方铅矿(100)表面性质的影响 | 第30-55页 |
| ·量子化学的计算方法及模型 | 第31-35页 |
| ·计算及模型构建方法 | 第31-32页 |
| ·能量计算方法 | 第32-33页 |
| ·计算参数的选取方法 | 第33-35页 |
| ·理想方铅矿(100)表面的电子结构和性质 | 第35-37页 |
| ·表面三层原子的弛豫 | 第35页 |
| ·表面电子结构与性质 | 第35-37页 |
| ·空位缺陷方铅矿(100)表面的电子结构性质 | 第37-41页 |
| ·空位缺陷形成能及其对表面电荷分布的影响 | 第37-38页 |
| ·空位缺陷对态密度与表面能态结构的影响 | 第38-41页 |
| ·杂质缺陷对方铅矿(100)表面性质的影响 | 第41-53页 |
| ·方铅矿表面杂质原子的替换能及其表面Mulliken电荷分布 | 第41-43页 |
| ·杂质缺陷对方铅矿能带结构及态密度的影响 | 第43-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第三章 晶格缺陷对氧分子在方铅矿(100)表面吸附的影响 | 第55-76页 |
| ·计算方法和模型 | 第55-57页 |
| ·氧分子在理想和含空位缺陷方铅矿(100)表面的吸附 | 第57-66页 |
| ·氧分子吸附位置的测试 | 第57-58页 |
| ·吸附构型及吸附能 | 第58-59页 |
| ·空位缺陷与理想方铅吸附氧前后表面原子Mulliken电荷分析 | 第59-63页 |
| ·空位缺陷与理想方铅吸附氧前后表面态密度分析 | 第63-66页 |
| ·杂质缺陷对方铅矿吸附氧分子的影响 | 第66-74页 |
| ·吸附能和吸附构型 | 第66-70页 |
| ·含杂质缺陷方铅矿表面与氧分子的相互作用 | 第70-74页 |
| ·本章小结 | 第74-76页 |
| 第四章 晶格缺陷对方铅矿(100)表面吸附捕收剂分子的影响 | 第76-122页 |
| ·计算方法和模型 | 第76-77页 |
| ·捕收剂分子在理想方铅矿表面氧化前后的吸附 | 第77-86页 |
| ·吸附能及吸附构型 | 第77-80页 |
| ·氧化前后方铅矿表面与捕收剂分子相互作用 | 第80-86页 |
| ·捕收剂在含空位缺陷方铅矿表面的吸附 | 第86-94页 |
| ·吸附能 | 第86-87页 |
| ·吸附构型及成键分析 | 第87-90页 |
| ·含空位缺陷方铅表面与捕收剂分子的相互作用 | 第90-94页 |
| ·杂质缺陷对方铅矿表面吸附捕收剂分子的影响 | 第94-120页 |
| ·吸附能 | 第94-95页 |
| ·吸附构型及成键分析 | 第95-103页 |
| ·含杂质缺陷方铅矿表面与捕收剂分子的相互作用 | 第103-120页 |
| ·本章小结 | 第120-122页 |
| 第五章 晶格缺陷对方铅矿(100)表面吸附抑制剂分子的影响 | 第122-150页 |
| ·计算方法和模型 | 第122页 |
| ·晶格缺陷对铬酸根在方铅矿(100)表面的吸附研究 | 第122-132页 |
| ·铬酸根在方铅矿(100)表面的平衡吸附位置测试 | 第123-124页 |
| ·铬酸根在理想方铅矿表面氧化前后的吸附 | 第124-128页 |
| ·铅硫空位缺陷对铬酸根在方铅矿表面吸附的影响 | 第128-129页 |
| ·杂质缺陷对铬酸根在方铅矿表面吸附的影响 | 第129-132页 |
| ·晶格缺陷对氢氧根和羟基钙在方铅矿(100)表面的吸附研究 | 第132-143页 |
| ·氢氧根和羟基钙在理想方铅矿表面的吸附 | 第132-139页 |
| ·空位缺陷对氢氧根和羟基钙在方铅矿表面吸附的影响 | 第139-140页 |
| ·杂质缺陷对氢氧根和羟基钙在方铅矿表面吸附能的影响 | 第140-143页 |
| ·晶格缺陷对硫氢根在方铅矿(100)表面吸附的研究 | 第143-148页 |
| ·硫氢根在理想方铅矿表面的吸附 | 第143-145页 |
| ·空位缺陷对硫氢根在方铅矿表面吸附的影响 | 第145-146页 |
| ·杂质缺陷对硫氢根在方铅矿表面吸附的影响 | 第146-148页 |
| ·本章小结 | 第148-150页 |
| 第六章 掺杂硫化铅的合成、浮选行为及其吸附黄药的微量热动力学研究 | 第150-163页 |
| ·实验方法 | 第150-152页 |
| ·掺杂方铅矿的合成 | 第150-151页 |
| ·微量吸附热动力学测试方法 | 第151-152页 |
| ·浮选实验方法 | 第152页 |
| ·掺杂方铅矿的表征 | 第152-154页 |
| ·杂质对方铅矿浮选行为的影响 | 第154-156页 |
| ·人工合成方铅矿与天然方铅矿浮选行为的差异 | 第154页 |
| ·杂质对人工合成方铅矿浮选回收率的影响 | 第154-155页 |
| ·杂质对石灰抑制方铅矿的影响 | 第155-156页 |
| ·含杂质方铅矿吸附热动力学研究 | 第156-162页 |
| ·黄药在含杂质方铅矿表面的吸附热 | 第156-161页 |
| ·杂质对方铅矿表面吸附动力学的影响 | 第161-162页 |
| ·本章小结 | 第162-163页 |
| 第七章 杂质对方铅矿电化学行为的影响 | 第163-188页 |
| ·实验试剂及仪器 | 第163-164页 |
| ·实验方法 | 第164-167页 |
| ·循环伏安曲线的测试方法 | 第164-165页 |
| ·红外光谱测定样品制备方法 | 第165页 |
| ·循环伏安曲线及其相关热力学分析方法 | 第165-167页 |
| ·杂质对PBS的电极活性的影响 | 第167-168页 |
| ·不同介质中含杂质方铅矿的氧化行为 | 第168-173页 |
| ·含杂质方铅矿与黄药的电化学作用 | 第173-179页 |
| ·黄药与含杂质方铅矿作用的产物分析 | 第173-175页 |
| ·含杂质方铅矿与黄药作用的电化学模型 | 第175-179页 |
| ·杂质对氢氧化钙抑制方铅矿电化学行为的影响 | 第179-182页 |
| ·杂质对硫化钠抑制方铅矿电化学行为的影响 | 第182-186页 |
| ·本章小结 | 第186-188页 |
| 第八章 结论 | 第188-191页 |
| ·模拟计算结果 | 第188-189页 |
| ·实验结果 | 第189-191页 |
| 参考文献 | 第191-201页 |
| 致谢 | 第201页 |
