| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-34页 |
| ·引言 | 第18-21页 |
| ·石墨烯的发现 | 第20页 |
| ·石墨烯的结构形态 | 第20-21页 |
| ·石墨烯的基本特性 | 第21-25页 |
| ·力学特性 | 第21-22页 |
| ·电学性能 | 第22-24页 |
| ·光学特性 | 第24页 |
| ·超大的比表面积 | 第24-25页 |
| ·热学性能 | 第25页 |
| ·石墨烯的制备方法 | 第25-28页 |
| ·机械剥离法 | 第25-26页 |
| ·SiC 分解法 | 第26页 |
| ·化学气相衬底生长法 | 第26-27页 |
| ·氧化石墨还原法 | 第27-28页 |
| ·石墨烯的应用前景与国内外研究现状 | 第28-32页 |
| ·本文的研究目的与研究计划 | 第32-34页 |
| ·研究目的 | 第32-33页 |
| ·研究内容与实验方案 | 第33-34页 |
| 第二章 石墨烯的 CVD 法制备、性能和结构表征 | 第34-50页 |
| ·主要实验设备及所需材料 | 第34-35页 |
| ·主要的实验设备 | 第34页 |
| ·主要实验原材料 | 第34-35页 |
| ·固态源 CVD 法生长石墨烯设备的改造 | 第35-38页 |
| ·固态源法生长石墨烯及其 B、N 掺杂石墨烯设备改造 | 第35-36页 |
| ·气路控制与抽真空系统 | 第36页 |
| ·固态源加热系统 | 第36-37页 |
| ·石墨烯层转移设备加工 | 第37-38页 |
| ·金属衬底表面预处理工艺 | 第38-39页 |
| ·机械抛光 | 第38页 |
| ·电化学抛光 | 第38页 |
| ·后期热退火 | 第38-39页 |
| ·化学气相沉积制备石墨烯工艺过程 | 第39-40页 |
| ·衬底清洗 | 第39页 |
| ·石墨烯制备 | 第39页 |
| ·石墨烯的转移 | 第39-40页 |
| ·欧姆接触电极的制备 | 第40页 |
| ·石墨烯性能表征仪器及方法 | 第40-50页 |
| ·激光 Raman 散射光谱 | 第41-43页 |
| ·原子力显微镜与扫描电子显微镜 | 第43-44页 |
| ·透射电子显微镜 | 第44-46页 |
| ·扫描隧道显微镜 | 第46-47页 |
| ·四探针电阻测试仪与霍尔效应测试仪 | 第47-50页 |
| 第三章 聚苯乙烯碳源 CVD 法制备石墨烯机理的研究 | 第50-61页 |
| ·引言 | 第50-51页 |
| ·不同催化剂 CVD 法生长石墨烯的机制分析 | 第51-53页 |
| ·溶解析出机制 | 第51-52页 |
| ·表面催化机制 | 第52-53页 |
| ·金属衬底表面平坦化 | 第53-55页 |
| ·衬底预处理及其退火再结晶过程 | 第53-55页 |
| ·衬底预处理对石墨烯形核和生长的影响 | 第55页 |
| ·大面积石墨烯化学气相沉积机理分析 | 第55-60页 |
| ·聚苯乙烯碳源 CVD 法制备石墨烯 | 第55-58页 |
| ·聚苯乙烯碳源 CVD 法生长石墨烯化学气相动力学研究 | 第58-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第四章 含苯环碳源 CVD 法制备石墨烯单晶畴 | 第61-73页 |
| ·引言 | 第61页 |
| ·CVD 法生长石墨烯形核密度的控制 | 第61-65页 |
| ·Cu 衬底表面缺陷对形核密度的影响 | 第61-62页 |
| ·衬底表面碳源浓度与氢气分压对晶畴形核密度的影响 | 第62-65页 |
| ·动态生长法提高石墨烯单晶畴的生长速率 | 第65-71页 |
| ·衬底温度对晶畴生长温度的影响 | 第65-66页 |
| ·碳源浓度与气体流量的动态调节 | 第66-69页 |
| ·动态生长大尺寸石墨烯单晶畴结构的性能表征 | 第69-70页 |
| ·动态生长大尺寸石墨烯单晶畴的电学性能表征 | 第70-71页 |
| ·小结 | 第71-73页 |
| 第五章 含苯环碳源 CVD 法低温生长大尺寸石墨烯 | 第73-87页 |
| ·引言 | 第73页 |
| ·含苯环碳源的种类与化学结构分析 | 第73-76页 |
| ·含苯环碳源的优势 | 第73-74页 |
| ·含苯环碳源的种类及其化学性质 | 第74-75页 |
| ·含苯环碳源低温 CVD 法制备石墨烯 | 第75-76页 |
| ·含苯环碳源低温 CVD 法制备石墨烯机理分析 | 第76-79页 |
| ·含苯环碳源制备石墨烯形核密度的控制 | 第76-78页 |
| ·含苯环碳源三步法制备大尺寸石墨烯 | 第78-79页 |
| ·人工籽晶法低温生长石墨烯 | 第79-85页 |
| ·人工籽晶法低温生长石墨烯原理 | 第79-82页 |
| ·人工籽晶对控制形核密度和抑制无序生长的影响 | 第82页 |
| ·人工籽晶对低温生长大面积连续膜的影响 | 第82-85页 |
| ·本章小结 | 第85-87页 |
| 第六章 石墨烯晶格掺杂与表面修饰 | 第87-106页 |
| ·引言 | 第87页 |
| ·石墨烯的 B、N 晶格掺杂 | 第87-95页 |
| ·固态源法制备 B、N 掺杂石墨烯 | 第87-89页 |
| ·不同浓度的尿素和硼酸对 CVD 法长石墨烯结构的影响 | 第89-93页 |
| ·不同浓度的尿素和硼酸对石墨烯掺杂电学性能的影响 | 第93-95页 |
| ·金属离子及纳米颗粒对石墨烯的表面修饰 | 第95-104页 |
| ·AgNO_3表面与层间掺杂 1-4 层石墨烯的制备 | 第97-99页 |
| ·Raman 散射增强效应 | 第99-100页 |
| ·Ag 离子和纳米颗粒与石墨烯弱相互作用分析 | 第100-101页 |
| ·AgNO_3层间掺杂石墨烯对其光学及其电学性能的影响 | 第101-104页 |
| ·本章小结 | 第104-106页 |
| 第七章 结论与展望 | 第106-110页 |
| ·结论 | 第106-108页 |
| ·主要创新点 | 第108页 |
| ·展望 | 第108-110页 |
| 参考文献 | 第110-120页 |
| 致谢 | 第120-121页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第121-123页 |
