摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-14页 |
第一章 绪论 | 第14-53页 |
·引言 | 第14页 |
·半导体材料 | 第14页 |
·纳米材料简介 | 第14-15页 |
·半导体光催化机理 | 第15-18页 |
·半导体对太阳光利用研究进展 | 第18-28页 |
·太阳能电池 | 第19-22页 |
·光催化降解有机物 | 第22-26页 |
·光催化分解水 | 第26-28页 |
·可见光响应的催化材料研究现况 | 第28-43页 |
·半导体光催化剂存在的问题 | 第28-29页 |
·半导体光催化剂的改性 | 第29-43页 |
·掺杂改性 | 第29-34页 |
·固溶体 | 第34-39页 |
·敏化 | 第39-43页 |
·选题意义及研究内容 | 第43-46页 |
参考文献 | 第46-53页 |
第二章 实验部分 | 第53-60页 |
·实验药品 | 第53-54页 |
·试验仪器 | 第54页 |
·表征方法 | 第54-56页 |
·X 射线衍射分析 | 第54页 |
·扫描电子显微镜分析 | 第54-55页 |
·透射电子显微镜分析 | 第55页 |
·X-射线光电子能谱分析 | 第55页 |
·红外测试 | 第55页 |
·元素分析 | 第55-56页 |
·原子吸收光谱 | 第56页 |
·光学性质分析 | 第56页 |
·光催化性能的评价 | 第56-58页 |
·测试光源 | 第56页 |
·实验装置 | 第56-57页 |
·实验方法 | 第57页 |
·评价方法 | 第57-58页 |
·光电化学表征 | 第58-60页 |
·光源 | 第58页 |
·实验装置 | 第58页 |
·实验方法 | 第58页 |
·评价方法 | 第58-60页 |
第三章 Ni 掺杂 Fe_2O_3薄膜的光电化学性质 | 第60-76页 |
·前言 | 第60-62页 |
·实验部分 | 第62-63页 |
·Ni-Fe_2O_3薄膜制备过程 | 第62页 |
·Ni-Fe_2O_3电极的测试 | 第62-63页 |
·结果与讨论 | 第63-71页 |
·Ni-Fe_2O_3样品的形貌和结构 | 第63-65页 |
·Ni 掺杂浓度的表征 | 第65页 |
·Ni-Fe_2O_3薄膜的光学性质 | 第65-67页 |
·Ni-Fe_2O_3样品的电化学表征 | 第67-71页 |
·本章小结 | 第71-72页 |
参考文献 | 第72-76页 |
第四章 CNTs/Ti/Fe_2O_3薄膜的制备和光电化学性质 | 第76-96页 |
·前言 | 第76-77页 |
·实验部分 | 第77-78页 |
·CNTs 的功能化制备 | 第77页 |
·制备 CNTs 和 Ti 共沉积 Fe_2O_3薄膜 | 第77-78页 |
·结果与讨论 | 第78-91页 |
·官能化碳纳米管的表征 | 第78-79页 |
·CNTs/Ti-Fe_2O_3样品的形貌和性能 | 第79-81页 |
·CNTs/Ti-Fe_2O_3样品的光学性质 | 第81-82页 |
·CNTs/Ti-Fe_2O_3样品的光电化学测试 | 第82-85页 |
·NH_2-CNTs 修饰量对样品的影响 | 第85-90页 |
·电子传输机理研究 | 第90-91页 |
·本章小结 | 第91-92页 |
参考文献 | 第92-96页 |
第五章 g-C_3N_4/Fe_2_O3纳米结构中质子迁移性质的光电化学研究 | 第96-108页 |
·前言 | 第96页 |
·实验部分 | 第96-97页 |
·Fe_2O_3阵列的制备 | 第96页 |
·g-C_3N_4的制备 | 第96页 |
·g-C_3N_4/Fe_2O_3的合成 | 第96-97页 |
·结果与讨论 | 第97-106页 |
·g-C_3N_4/Fe_2O_3/FTO 样品的表征 | 第97-101页 |
·g-C_3N_4/Fe_2O_3/FTO 的光学性质 | 第101-103页 |
·g-C_3N_4/Fe_2O_3/FTO 的电化学性质 | 第103-105页 |
·光电化学活性提高的机理 | 第105-106页 |
·本章小结 | 第106-107页 |
参考文献 | 第107-108页 |
第六章 g-C_3N_4/Ti-Fe_2O_3中 g-C_3N_4的量对性能的影响研究 | 第108-119页 |
·引言 | 第108-109页 |
·实验部分 | 第109-110页 |
·Ti-Fe_2O_3阵列的合成 | 第109-110页 |
·g-C_3N_4的制备 | 第110页 |
·g-C_3N_4/Ti-Fe_2O_3/FTO 的制备 | 第110页 |
·结果与讨论 | 第110-116页 |
·g-C_3N_4/Ti-Fe_2O_3/FTO 的表征 | 第110-113页 |
·g-C_3N_4/Ti-Fe_2O_3/FTO 的光学性质 | 第113页 |
·g-C_3N-4/Ti-Fe_2O_3/FTO 的光电性质 | 第113-115页 |
·反应机理 | 第115-116页 |
·本章小结 | 第116-117页 |
参考文献 | 第117-119页 |
第七章 C/CdS 微球的制备以及光电化学性质 | 第119-138页 |
·引言 | 第119-120页 |
·实验部分 | 第120-121页 |
·CQDs 的制备 | 第120页 |
·CdS 和 C/CdS 微球的制备 | 第120页 |
·制备 CdS 和 C/CdS 薄膜电极 | 第120-121页 |
·结果和讨论 | 第121-134页 |
·CQDs 的表征 | 第121-123页 |
·C/CdS 微球的形貌 | 第123-125页 |
·CdS 3D 花状微球的形成 | 第125-127页 |
·C/CdS 样品的表征 | 第127-129页 |
·C/CdS 样品的光学性质 | 第129-130页 |
·C/CdS 光降解性能 | 第130-131页 |
·C/CdS 光电化学性能 | 第131-133页 |
·反应机理 | 第133-134页 |
·本章小结 | 第134-135页 |
参考文献 | 第135-138页 |
第八章 光照下 MoS_2/CdS 异质结构产 H_2性能的研究 | 第138-156页 |
·引言 | 第138-139页 |
·实验部分 | 第139-140页 |
·CdS 薄膜的制备 | 第139页 |
·MoS_2薄膜的制备 | 第139-140页 |
·MoS_2/CdS 薄膜的制备 | 第140页 |
·结果与讨论 | 第140-153页 |
·CdS 薄膜的表征 | 第140-143页 |
·MoS_2/CdS 样品形貌和结构表征 | 第143-145页 |
·MoS_2/CdS 形成过程 | 第145-146页 |
·MoS_2/CdS 的其他表征 | 第146-147页 |
·MoS_2/CdS 的光学性质 | 第147-149页 |
·MoS_2/CdS 的电化学性质 | 第149-152页 |
·电子传输机理研究 | 第152-153页 |
·本章小结 | 第153-154页 |
参考文献 | 第154-156页 |
第九章 总结与展望 | 第156-159页 |
·总结 | 第156-157页 |
·展望 | 第157页 |
·论文的主要创新点 | 第157-159页 |
攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第159-162页 |
致谢 | 第162-163页 |
附件 | 第163页 |