| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-15页 |
| 第1章 绪论 | 第15-29页 |
| ·引言 | 第15页 |
| ·纳米材料的性质 | 第15-17页 |
| ·研究材料的进展 | 第17-21页 |
| ·GaAs | 第17-19页 |
| ·InSb | 第19-20页 |
| ·SnO_2 | 第20-21页 |
| ·表面效应的研究进展 | 第21-24页 |
| ·稀磁半导体的发展历程及性质 | 第24-28页 |
| ·稀磁半导体的概念 | 第24-25页 |
| ·稀磁半导体的发展历程 | 第25-27页 |
| ·稀磁半导体材料的性质 | 第27-28页 |
| ·本文研究内容、意义和组织结构 | 第28-29页 |
| 第2章 理论与方法 | 第29-42页 |
| ·稀磁半导体磁性产生机制 | 第29-32页 |
| ·超交换作用 | 第29-30页 |
| ·双交换作用 | 第30页 |
| ·RKKY 模型 | 第30页 |
| ·Zener 模型 | 第30-31页 |
| ·束缚磁极化模型 | 第31页 |
| ·F-Center 模型 | 第31-32页 |
| ·第一性原理计算 | 第32-42页 |
| ·多粒子系统的 Schr dinger 方程 | 第32-33页 |
| ·绝热近似 | 第33页 |
| ·Hartree 近似 | 第33-34页 |
| ·Hartree-Fork 近似 | 第34-36页 |
| ·密度泛函理论 | 第36-40页 |
| ·VASP 软件介绍 | 第40-42页 |
| 第3章 降低(Ga,Mn)As 中自补偿 Mn 间隙原子的理论模拟 | 第42-50页 |
| ·引言 | 第42-43页 |
| ·计算模型与参数 | 第43-44页 |
| ·结果分析与讨论 | 第44-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第4章 表面钝化效应对(Ga,Mn)As 纳米线磁性的影响 | 第50-60页 |
| ·引言 | 第50-51页 |
| ·计算模型与参数 | 第51-52页 |
| ·结果分析与讨论 | 第52-58页 |
| ·表面钝化对 Mn 原子分布的影响 | 第52-55页 |
| ·表面钝化对(Ga,Mn)As 纳米线磁性的影响 | 第55-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 第5章 表面钝化效应对 InSb 纳米线电子结构的影响 | 第60-70页 |
| ·引言 | 第60页 |
| ·计算模型与参数 | 第60-62页 |
| ·结果分析与讨论 | 第62-69页 |
| ·InSb 纳米线几何结构性质 | 第62-63页 |
| ·InSb 纳米线能带结构性质 | 第63-67页 |
| ·卤素钝化对 InSb 纳米线电子性质的影响 | 第67-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 第6章 通过单轴应力调制 InSb 纳米线的电子性质 | 第70-79页 |
| ·引言 | 第70-71页 |
| ·计算模型与参数 | 第71-72页 |
| ·结果分析与讨论 | 第72-78页 |
| ·尺寸效应对 InSb 纳米线电子性质的影响 | 第73-74页 |
| ·应力效应对 InSb 纳米线电子性质的影响 | 第74-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 第7章 表面悬挂键对 SnO_2量子点磁性的影响 | 第79-88页 |
| ·引言 | 第79-80页 |
| ·计算模型与参数 | 第80-81页 |
| ·结果分析与讨论 | 第81-86页 |
| ·悬挂键对 SnO_2量子点磁性的影响 | 第81-82页 |
| ·Co(Ni)掺杂 SnO_2量子点的电子结构和磁性 | 第82-83页 |
| ·Co(Ni)与悬挂键协同作用对 SnO_2量子点磁性的影响 | 第83-86页 |
| ·本章小结 | 第86-88页 |
| 结论与展望 | 第88-91页 |
| 参考文献 | 第91-107页 |
| 附录 A 攻读学位期间发表的论文 | 第107-108页 |
| 附录 B 攻读学位期间参加的科研项目 | 第108-109页 |
| 致谢 | 第109页 |
