| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第1章 引言 | 第11-27页 |
| ·紫外辐射与紫外探测简介 | 第11-15页 |
| ·宽带隙半导体紫外光电探测器 | 第15-16页 |
| ·MgZnO 材料的特点及其紫外光电探测器的研究进展 | 第16-23页 |
| ·论文的选题依据及研究内容 | 第23-27页 |
| 第2章 半导体紫外光电探测器件与物理 | 第27-53页 |
| ·半导体紫外光电探测器的一般性理论 | 第27-31页 |
| ·光电导探测器 | 第31-39页 |
| ·p-n 结型光电探测器 | 第39-46页 |
| ·肖特基结二极管 | 第46-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第3章 MgZnO 材料制备和表征方法及紫外探测器的制备和测试系统 | 第53-73页 |
| ·MgZnO 薄膜的外延生长方法 | 第53-59页 |
| ·MgZnO 薄膜的表征手段 | 第59-66页 |
| ·MgZnO 基紫外光电探测器制备工艺 | 第66-68页 |
| ·MgZnO 基探测器光电性能测试系统 | 第68-71页 |
| ·本章小结 | 第71-73页 |
| 第4章 MgZnO 薄膜 Ga 掺杂及肖特基型紫外光电探测器的制备与特性 | 第73-93页 |
| ·立方 MgZnO 薄膜 Ga 掺杂的制备及表征 | 第75-81页 |
| ·MgZnO 基肖特基结型紫外探测器的实现 | 第81-91页 |
| ·本章小结 | 第91-93页 |
| 第5章 基于MgZnO/p-Si异质结光伏型紫外光电探测器的制备与特性 | 第93-101页 |
| ·Si (111) 衬底上立方 MgZnO 薄膜的制备与表征 | 第93-96页 |
| ·MgZnO/p-Si 异质结紫外光电探测器 | 第96-100页 |
| ·本章小结 | 第100-101页 |
| 第6章 梯度带隙 MgZnO/p-Si 异质结紫外光电探测器的制备与特性 | 第101-117页 |
| ·梯度带隙 MgZnO 的制备及表征 | 第102-108页 |
| ·梯度带隙 MgZnO/p-Si 异质结紫外探测器 | 第108-115页 |
| ·本章小结 | 第115-117页 |
| 第7章 结论与展望 | 第117-119页 |
| ·全文总结 | 第117-118页 |
| ·研究展望 | 第118-119页 |
| 参考文献 | 第119-129页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第129-131页 |
| 指导教师及作者简介 | 第131-133页 |
| 致谢 | 第133-134页 |
