电子束熔炼提纯多晶硅的研究

摘要	第1-6页
Abstract	第6-12页
1 绪论	第12-39页
·光伏产业发展对太阳能级多晶硅材料的重大需求	第12-20页
·太阳能光伏发电的发展历程	第12-15页
·世界主要发达国家对光伏产业的认识和发展预期	第15-16页
·我国太阳能光伏发电应用的现状及趋势	第16-18页
·太阳能光伏发电产业介绍	第18-19页
·太阳能光伏电池原料的需求前景及发展失配现状	第19-20页
·太阳能级多晶硅制备方法综述	第20-24页
·西门子及改良西门子法	第20-21页
·硅烷法	第21-22页
·流化床法	第22页
·冶金法	第22页
·高纯碳还原法	第22-23页
·熔盐电解法	第23页
·其他方法	第23-24页
·冶金法提纯多晶硅研究现状及进展	第24-29页
·饱和蒸气压的机理及真空熔炼、电子束技术进展	第24-26页
·偏析原理及定向凝固、酸洗、合金化技术进展	第26-28页
·氧化性差异及等离子束、造渣技术进展	第28-29页
·电子束提纯多晶硅材料的特点和优点	第29-37页
·电子与材料作用的关系	第29-32页
·电子束电子与材料作用电子射程	第32-33页
·电子束熔炼特点	第33-35页
·电子束提纯多晶硅的产业应用及存在的不足和问题	第35-37页
·论文的研究目的及内容	第37-39页
2 实验设备及材料评价方法	第39-50页
·材料制备设备	第39-44页
·电子束熔炼设备	第39-42页
·真空感应熔炼设备	第42-44页
·材料制样及清洁设备	第44-45页
·材料的评价方法	第45-50页
·P-N型测试原理及设备	第45-46页
·电阻率测试原理及设备	第46-48页
·ICP-MS纯度测试	第48-50页
3 硅中蒸发性杂质的特征及去除的理论基础	第50-60页
·杂质在硅熔体中的蒸发性质	第50-51页
·杂质在硅熔体中的饱和蒸汽压	第51-53页
·多晶硅中杂质与电阻率、P-N型的关系	第53-56页
·蒸发性原子去除的冶金学模型	第56-60页
4 电子束熔炼去除多晶硅中蒸发性杂质的研究	第60-76页
·研究电子束熔炼过程提纯多晶硅的意义	第60页
·实验材料与方法	第60-62页
·实验结果	第62-64页
·分析与讨论	第64-75页
·电子束铸锭的杂质去除率确定	第64-66页
·电子束熔炼多晶硅杂质的去除情况分析	第66-68页
·杂质的去除机理分析	第68-72页
·熔炼中硅的蒸发损失与杂质去除的关系	第72-75页
·本章小结	第75-76页
5 电子束熔炼硅熔体凝固对多晶硅提纯的影响研究	第76-88页
·研究电子束熔炼多晶硅凝固过程的意义	第76页
·电子束熔炼硅熔体凝固模型建立	第76-78页
·电子束熔炼硅熔体凝固过程分析	第78-79页
·实验材料和实验方法	第79-80页
·实验结果	第80-82页
·电子束凝固对杂质去除的影响	第82-87页
·本章小结	第87-88页
6 电子束熔炼新技术(烛光熔炼技术)捉纯多晶硅	第88-104页
·电子束烛光熔炼提纯多晶硅模型	第88-90页
·电子束烛光熔炼的方式提出	第88-89页
·电子束烛光熔炼数学模型建立	第89-90页
·烛光熔炼的理论基础	第90-95页
·电子束熔炼熔池形貌与温度分布	第90-92页
·电子束束斑标定	第92-95页
·实验材料与方法	第95-96页
·实验结果与分析	第96-103页
·烛光熔炼铸锭形貌分析	第96-98页
·硅中杂质去除效果分析	第98-101页
·烛光熔炼下硅中杂质磷的去除机理分析	第101-103页
·本章小结	第103-104页
结论	第104-106页
展望	第106-107页
创新点摘要	第107-108页
参考文献	第108-114页
附录A 文章涉及到的主要符号及意义	第114-117页
附录B 硅中主要杂质的分凝系数	第117-118页
附录C 硅中主要杂质的扩散系数	第118-119页
附录D 硅中主要杂质的化学能及导电类型	第119-120页
攻读博士学位期间发表的学术论文情况	第120-122页
攻读博士期间授权及申报的发明专利	第122-123页
致谢	第123-125页
作者简介	第125-126页