| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 目录 | 第10-12页 |
| 图录 | 第12-14页 |
| 第1章 绪论 | 第14-25页 |
| ·课题背景 | 第14-15页 |
| ·FBAR的发展与研究现状 | 第15-23页 |
| ·FBAR的工作原理 | 第15-17页 |
| ·传统FBAR的研究现状 | 第17-19页 |
| ·侧向场激励FBAR的研究现状 | 第19-23页 |
| ·论文的研究动机 | 第23-24页 |
| ·论文的研究内容和章节安排 | 第24-25页 |
| 第2章 侧向场激励FBAR的建模 | 第25-41页 |
| ·晶体的声学性质 | 第25-28页 |
| ·应变 | 第25-26页 |
| ·应力T | 第26-27页 |
| ·弹性刚度常数c和弹性柔顺常数s | 第27-28页 |
| ·声学与电磁学 | 第28-30页 |
| ·晶体的压电性质 | 第30-37页 |
| ·压电效应和逆压电效应 | 第30-33页 |
| ·压电方程 | 第33-35页 |
| ·压电振子的振动模式 | 第35-37页 |
| ·侧向场激励FBAR的理论模型 | 第37-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第3章 直流反应溅射制备择优取向ZnO薄膜 | 第41-53页 |
| ·ZnO的晶体结构和基本性质 | 第41-43页 |
| ·影响c轴择优取向的沉积工艺参数 | 第43-45页 |
| ·ZnO的制备 | 第45-49页 |
| ·实验用镀膜系统简介 | 第45-47页 |
| ·ZnO的溅射生长模型 | 第47-48页 |
| ·溅射ZnO最优工艺参数 | 第48-49页 |
| ·ZnO性能测试 | 第49-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第4章 传统纵波FBAR的制备和性能测试 | 第53-62页 |
| ·纵波FBAR的制备 | 第53-56页 |
| ·纵波FBAR的性能测试 | 第56-60页 |
| ·纵波FBAR器件一：谐振频率为2.69GHz,Q值为1116 | 第56-58页 |
| ·纵波FBAR器件二：谐振频率3.4 GHz,Q值170 | 第58-60页 |
| ·本章小结 | 第60-62页 |
| 第5章 侧向场激励剪切波FBAR的设计与制备 | 第62-78页 |
| ·侧向场FBAR的制备与性能测试 | 第62-65页 |
| ·嵌入式电极结构的探索研究 | 第65-73页 |
| ·FBAR有限元仿真步骤 | 第65-67页 |
| ·嵌入式结构的提出 | 第67-72页 |
| ·新结构的优化设计 | 第72-73页 |
| ·嵌入式电极结构侧向场FBAR的制备与性能测试 | 第73-76页 |
| ·本章小结 | 第76-78页 |
| 第6章 总结与展望 | 第78-80页 |
| ·论文研究的主要内容与研究成果 | 第78页 |
| ·论文的不足之处及展望 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-87页 |
| 个人简历及在校期间所取得的科研成果 | 第87页 |