Ⅲ-Ⅴ和Ⅳ-Ⅵ纳米簇器件电子输运性质的第一性原理研究

摘要	第1-5页
ABSTRACT	第5-8页
1 绪言	第8-14页
·纳电子学与纳电子器件简介	第8-10页
·纳电子器件的常用研究方法	第10-11页
·本研究的意义及内容	第11-14页
2 纳米簇器件输运性质研究的理论基础	第14-29页
·第一性原理	第14-20页
·Born-Oppenheimer 绝热近似	第14-16页
·密度泛函理论	第16-20页
·非平衡格林函数方法	第20-24页
·输运性质计算方法及流程	第24-29页
·自洽计算	第24-25页
·计算的输入	第25-27页
·计算的输出	第27-29页
3 III-V 纳米簇器件的电子输运性质	第29-45页
·(GaAs)_n纳米簇器件的电子输运性质	第29-36页
·引言	第29-30页
·计算模型与方法	第30-32页
·电子输运性质分析	第32-36页
·(InAs)_n纳米簇器件的电子输运性质	第36-45页
·引言	第36-37页
·计算模型与方法	第37-39页
·电子输运性质分析	第39-45页
4 IV-VI 纳米簇器件的电子输运性质	第45-61页
·(PbS)_n纳米簇器件的电子输运性质	第45-53页
·引言	第45-46页
·计算模型与方法	第46-48页
·电子输运性质分析	第48-53页
·(PbSe)_n纳米簇器件的电子输运性质	第53-61页
·引言	第53-54页
·计算模型及方法	第54-55页
·电子输运性质分析	第55-61页
5 结论与展望	第61-63页
·结论	第61-62页
·展望	第62-63页
致谢	第63-64页
参考文献	第64-69页
附录 I	第69-70页
附录 II	第70页
附录 III 攻读硕士学位期间发表的论文	第70页