一种新型边预击穿抑制雪崩光电二极管的研究

摘要	第1-5页
Abstract	第5-8页
1 绪论	第8-12页
·研究背景	第8-11页
·本文内容	第11-12页
2 雪崩光电二极管的基本理论	第12-23页
·雪崩光电二极管结构	第12-15页
·雪崩光电二极管工作原理	第15-16页
·雪崩光电二极管的几个参数	第16-17页
·材料	第17-19页
·APD 的频响特性	第19-20页
·先进设计系统	第20-22页
·本章小结	第22-23页
3 传统SAGCM 雪崩光电二极管	第23-44页
·SAGCM-APD 频响特性的物理模型	第23-30页
·等效电路模型	第30-33页
·仿真结果分析	第33-37页
·APD 生长工艺与最优参数	第37-39页
·频响特性分析	第39-41页
·未来工作	第41-43页
·本章小结	第43-44页
4 用于抑制边击穿的新型雪崩光电二极管	第44-59页
·边缘提前击穿的抑制	第44-46页
·电场分布计算	第46-49页
·边击穿抑制结构APD 的频响特性	第49-52页
·仿真结果	第52-54页
·灵敏度分析	第54-57页
·本章小结	第57-59页
总结	第59-60页
致谢	第60-61页
参考文献	第61-65页
附录 攻读硕士学位期间发表论文目录	第65页