| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-28页 |
| ·太阳能电池的简介 | 第13-15页 |
| ·第一代太阳能电池 | 第13-14页 |
| ·第二代太阳能电池 | 第14-15页 |
| ·第三代太阳能电池 | 第15页 |
| ·敏化太阳能电池 | 第15-26页 |
| ·氧化物半导体薄膜 | 第16-20页 |
| ·TiO_2纳米颗粒薄膜 | 第16-18页 |
| ·TiO_2纳米介孔薄膜 | 第18页 |
| ·TiO_2纳米线阵列薄膜 | 第18-19页 |
| ·TiO_2纳米管阵列薄膜 | 第19-20页 |
| ·TiO_2纳米花薄膜 | 第20页 |
| ·敏化剂的选择 | 第20-21页 |
| ·金属配合物染料 | 第20-21页 |
| ·纯有机染料敏化剂 | 第21页 |
| ·无机半导体敏化剂 | 第21-23页 |
| ·将无机半导体沉积在TiO_2薄膜上的方法 | 第23-25页 |
| ·电解质溶液 | 第25-26页 |
| ·对电极 | 第26页 |
| ·论文的选题思想和主要内容 | 第26-28页 |
| 第二章 无机半导体敏化TiO_2颗粒薄膜的制备和光电转换性质 | 第28-39页 |
| ·引言 | 第28-29页 |
| ·实验部分 | 第29-32页 |
| ·主要试剂 | 第29页 |
| ·实验仪器 | 第29-30页 |
| ·无机半导体敏化TiO_2颗粒薄膜的制备 | 第30-32页 |
| ·电泳沉积法制备TiO_2颗粒薄膜 | 第30-31页 |
| ·TiO_2/ZnSe/CdSe薄膜的制备 | 第31-32页 |
| ·TiO_2/ZnSe/CdSe薄膜的光电化学性质的测试 | 第32页 |
| ·结果与讨论 | 第32-38页 |
| ·TiO_2颗粒薄膜的表征 | 第32-34页 |
| ·X射线粉末衍射光谱 | 第32-33页 |
| ·扫描电子显微镜图 | 第33-34页 |
| ·TiO_2/ZnSe/CdSe薄膜的表征 | 第34-38页 |
| ·紫外可见吸收光谱 | 第34-36页 |
| ·X射线粉末衍射 | 第36页 |
| ·扫描电子显微镜图 | 第36-37页 |
| ·光电流-时间响应曲线 | 第37-38页 |
| ·小结 | 第38-39页 |
| 第三章 无机半导体敏化TiO_2纳米线阵列薄膜的制备和光电转换性质 | 第39-64页 |
| ·引言 | 第39-40页 |
| ·实验部分 | 第40-43页 |
| ·主要试剂 | 第40页 |
| ·实验仪器 | 第40-41页 |
| ·无机半导体敏化TiO_2纳米线阵列薄膜的制备 | 第41-43页 |
| ·水热合成法制备TiO_2纳米线阵列薄膜 | 第41-42页 |
| ·TiO_2/ZnSe/CdSe纳米线阵列薄膜的制备 | 第42-43页 |
| ·TiO_2/ZnSe/CdSe纳米线阵列薄膜的光电化学性质测试 | 第43页 |
| ·结果与讨论 | 第43-62页 |
| ·水热法制备TiO_2纳米线阵列薄膜条件的探索 | 第43-51页 |
| ·前驱体浓度对TiO_2纳米线阵列薄膜的影响 | 第43-45页 |
| ·反应温度对TiO_2纳米线阵列薄膜的影响 | 第45-48页 |
| ·种子层对TiO_2纳米线阵列薄膜的影响 | 第48-50页 |
| ·反应时间对TiO_2纳米线阵列薄膜的影响 | 第50-51页 |
| ·制备TiO_2/ZnSe/CdSe纳米线阵列薄膜条件的探索 | 第51-62页 |
| ·X射线粉末衍射 | 第51-52页 |
| ·能量色散X射线光谱图(EDX) | 第52-53页 |
| ·扫描电子显微镜图 | 第53-55页 |
| ·SILAR次数对光电转换性能的影响 | 第55-57页 |
| ·反应温度对光电转换性能的影响 | 第57-59页 |
| ·反应时间对光电转换性能的影响 | 第59-61页 |
| ·TiO_2纳米线的长度对光电转换性能的影响 | 第61-62页 |
| ·小结 | 第62-64页 |
| 第四章 结论与展望 | 第64-66页 |
| ·结论 | 第64页 |
| ·展望 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-76页 |
| 论文情况 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
