| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-34页 |
| ·电子封装概述 | 第12-14页 |
| ·埋入式器件 | 第14-17页 |
| ·无源器件 | 第14-16页 |
| ·埋入式电容 | 第16-17页 |
| ·理论基础 | 第17-27页 |
| ·电介质极化理论 | 第17-18页 |
| ·电介质极化的机理 | 第18-21页 |
| ·介电性能的表征参数 | 第21-22页 |
| ·介电理论模型 | 第22-27页 |
| ·电介质材料 | 第27-32页 |
| ·铁电陶瓷材料 | 第27-28页 |
| ·铁电陶瓷/聚合物复合材料 | 第28-29页 |
| ·全有机高分子聚合物型 | 第29-30页 |
| ·导电颗粒/聚合物型 | 第30-32页 |
| ·问题提出与研究内容及创新 | 第32-34页 |
| ·问题提出 | 第32页 |
| ·研究内容 | 第32-33页 |
| ·研究创新之处 | 第33-34页 |
| 第二章 原料设备与性能表征 | 第34-41页 |
| ·原料 | 第34-36页 |
| ·实验仪器与设备 | 第36-37页 |
| ·性能表征方法 | 第37-41页 |
| ·SEM 表面形貌分析 | 第37页 |
| ·XRD 粉末衍射 | 第37-38页 |
| ·傅里叶变换红外光谱分析(FT-IR) | 第38页 |
| ·同步热分析系统(TGA-DSC) | 第38页 |
| ·阻抗分析测试 | 第38-39页 |
| ·粒度测试 | 第39页 |
| ·紫外-可见吸收光谱测试 | 第39-40页 |
| ·X 射线能谱分析（EDS） | 第40页 |
| ·热膨胀系数测定 | 第40-41页 |
| 第三章 纳米银颗粒的制备及复合材料性能研究 | 第41-60页 |
| ·引言 | 第41-42页 |
| ·纳米银球形颗粒的制备 | 第42-45页 |
| ·实验过程 | 第42页 |
| ·PVP 的作用 | 第42-45页 |
| ·Ag@SiO_2粒子的制备与表征 | 第45-52页 |
| ·Ag@SiO_2制备方法 | 第46页 |
| ·复合粒子表征 | 第46-52页 |
| ·Ag@SiO_2/PVDF 复合材料介电性能研究 | 第52-59页 |
| ·Ag@SiO_2/PVDF 复合材料的制备 | 第52-53页 |
| ·Ag@SiO_2/PVDF 复合材料的微观结构 | 第53-54页 |
| ·Ag@SiO_2/PVDF 复合材料介电特性 | 第54-57页 |
| ·Ag@SiO_2粒子对复合材料导电特性的影响 | 第57-58页 |
| ·Ag@SiO_2粒子对复合材料热膨胀系数的影响 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第四章 纳米银线的制备及其复合材料介电性能研究 | 第60-70页 |
| ·引言 | 第60-61页 |
| ·纳米银线的合成 | 第61-66页 |
| ·纳米银线的制备方法 | 第61页 |
| ·反应温度对纳米银线生成的影响 | 第61-62页 |
| ·反应时间对纳米银线形成的影响 | 第62-64页 |
| ·PVP 浓度对纳米银线形成的影响 | 第64-66页 |
| ·AgWs/PVDF 复合材料的介电性能研究 | 第66-69页 |
| ·AgWs/PVDF 复合材料的制备 | 第66页 |
| ·AgWs/PVDF 复合材料微观结构 | 第66-67页 |
| ·AgWs/PVDF 复合材料介电特性研究 | 第67-68页 |
| ·AgWs/PVDF 复合材料电导特性研究 | 第68-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 第五章 其它形貌纳米银的可控制备探索 | 第70-74页 |
| ·引言 | 第70-71页 |
| ·纳米银片、纳米银花的制备 | 第71-73页 |
| ·H_2O_2的作用 | 第71-73页 |
| ·纳米银花的制备 | 第73-74页 |
| 结论 | 第74-76页 |
| 展望 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-86页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第86-87页 |
| 致谢 | 第87-88页 |
| 附件 | 第88页 |