| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-19页 |
| ·等离子体概述 | 第10-12页 |
| ·低温等离子体概述 | 第10-11页 |
| ·电负性等离子体概述 | 第11-12页 |
| ·低温等离子体沉积技术 | 第12-14页 |
| ·物理气相沉积 | 第12页 |
| ·等离子体化学气相沉积 | 第12-14页 |
| ·脉冲等离子体研究进展 | 第14-18页 |
| ·实验方面研究进展 | 第15-17页 |
| ·理论模拟研究进展 | 第17-18页 |
| ·本文内容安排 | 第18-19页 |
| 2 模型介绍 | 第19-26页 |
| ·流体力学模型 | 第19-23页 |
| ·模拟装备 | 第19-20页 |
| ·流体力学方程 | 第20-22页 |
| ·边界条件 | 第22-23页 |
| ·化学反应 | 第23-24页 |
| ·数值计算方法 | 第24-25页 |
| ·沉积速率 | 第25-26页 |
| 3 脉冲调制射频SiH4/O2/N2的二维流体力学模拟 | 第26-59页 |
| ·占空比对等离子体的影响 | 第26-32页 |
| ·各粒子密度以及电子强度 | 第26-30页 |
| ·组分比 | 第30-31页 |
| ·沉积速率以及通量 | 第31-32页 |
| ·本节小结 | 第32页 |
| ·脉冲调制频率对等离子体的影响 | 第32-38页 |
| ·粒子密度与电子温度 | 第32-35页 |
| ·离子通量与平均电势 | 第35-37页 |
| ·沉积速率 | 第37页 |
| ·本节小结 | 第37-38页 |
| ·气压对等离子体的影响 | 第38-43页 |
| ·粒子密度以及电子温度 | 第38-40页 |
| ·离子通量与能量 | 第40-42页 |
| ·沉积速率 | 第42-43页 |
| ·本节小结 | 第43页 |
| ·电压对等离子体的影响 | 第43-50页 |
| ·粒子的密度以及电子温度 | 第44-47页 |
| ·通量与能量 | 第47-49页 |
| ·沉积速率 | 第49页 |
| ·本节小结 | 第49-50页 |
| ·气体组分对等离子体的影响 | 第50-55页 |
| ·电子密度与电子温度 | 第50-52页 |
| ·离子通量和能量 | 第52-54页 |
| ·沉积速率 | 第54-55页 |
| ·本节小结 | 第55页 |
| ·腔室结构对等离子体的影响 | 第55-59页 |
| ·电子密度与电势 | 第55-56页 |
| ·沉积通量 | 第56-57页 |
| ·沉积速率 | 第57-58页 |
| ·本节小结 | 第58-59页 |
| 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |