| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 1 综述 | 第10-18页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·正常磁电阻效应 | 第10-11页 |
| ·各向异性磁电阻效应 | 第11页 |
| ·巨磁电阻效应 | 第11-12页 |
| ·隧道磁电阻效应 | 第12-13页 |
| ·庞磁电阻效应 | 第13-14页 |
| ·铁磁金属-半导体体系中的磁电阻效应 | 第14-16页 |
| ·本论文的思路和工作安排 | 第16-18页 |
| 2 薄膜的制备及分析表征 | 第18-28页 |
| ·薄膜的制备 | 第18-21页 |
| ·前言 | 第18页 |
| ·基片清洗 | 第18-19页 |
| ·磁控溅射方法制备薄膜 | 第19-21页 |
| ·薄膜的结构及性能表征 | 第21-28页 |
| ·薄膜的结构表征 | 第21-24页 |
| ·薄膜的磁性表征 | 第24-26页 |
| ·薄膜磁电阻效应的表征 | 第26-28页 |
| 3 ZnO 缓冲层对 Co-ZnO 颗粒膜结构和性能的影响 | 第28-36页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·实验过程 | 第28-29页 |
| ·Co-ZnO 颗粒膜的结构 | 第29-32页 |
| ·Co-ZnO 颗粒膜的磁性 | 第32-33页 |
| ·Co-ZnO 颗粒膜的室温磁电阻效应 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-36页 |
| 4 ZnAlO、C 缓冲层对 Co-ZnO 颗粒膜磁电阻效应的影响 | 第36-44页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·实验过程 | 第36页 |
| ·具有不同缓冲层的 Co-ZnO 颗粒膜的结构 | 第36-39页 |
| ·不同缓冲层对 Co-ZnO 颗粒膜磁电阻效应的影响 | 第39-40页 |
| ·Co-ZnO 颗粒膜磁电阻效应的分析 | 第40-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 5 不同温度下沉积的 Co-ZnO/ZnO/Co-ZnO 薄膜的磁电阻效应 | 第44-50页 |
| ·引言 | 第44页 |
| ·实验过程 | 第44-45页 |
| ·室温沉积的 Co-ZnO/ZnO/Co-ZnO 薄膜 | 第45-46页 |
| ·不同温度下沉积的 Co-ZnO/ZnO/Co-ZnO 薄膜 | 第46-49页 |
| ·结论 | 第49-50页 |
| 6 结论 | 第50-52页 |
| 致谢 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
| 附录 | 第60页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第60页 |
