InP基MZI-SOA光开关的实验方案研究
摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-8页 |
1 绪论 | 第8-13页 |
·课题背景 | 第8-9页 |
·光开关种类 | 第9-10页 |
·光子集成技术 | 第10-12页 |
·本课题的研究意义与主要研究内容 | 第12-13页 |
2 InP 基单片集成技术 | 第13-23页 |
·InP 基加工工艺 | 第13-17页 |
·常见的 InP 基单片集成技术 | 第17-22页 |
·本章小节 | 第22-23页 |
3 光开关的结构以及实验设计 | 第23-43页 |
·导言 | 第23-24页 |
·MZI-SOA 光开关原理与结构 | 第24-27页 |
·掩膜版设计 | 第27-30页 |
·外延片生长 | 第30-33页 |
·实验工艺流程 | 第33-41页 |
·本章小结 | 第41-43页 |
4 InP 基弧形波导实验工艺研究 | 第43-68页 |
·实验方案设计 | 第43-44页 |
·弧形波导结构 | 第44-45页 |
·光刻实验 | 第45-56页 |
·湿法刻蚀 | 第56-65页 |
·干法刻蚀 | 第65-66页 |
·器件测试 | 第66-67页 |
·本章小结 | 第67-68页 |
5 光开关的优化设计和未来展望 | 第68-74页 |
·掩埋双异质结型有源区 | 第68-71页 |
·光子晶体与 SOA 的结合 | 第71-73页 |
·本章小结 | 第73-74页 |
致谢 | 第74-75页 |
参考文献 | 第75-80页 |