| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-31页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·非晶氧化物半导体材料 | 第11-14页 |
| ·高k栅介质材料 | 第14-18页 |
| ·薄膜晶体管的结构和原理 | 第18-23页 |
| ·光刻技术 | 第23-24页 |
| ·氧化物基薄膜晶体管的稳定性问题 | 第24-30页 |
| ·本论文的研究意义及章节安排 | 第30-31页 |
| 2 薄膜晶体管的制备方法及表征手段 | 第31-44页 |
| ·磁控溅射 | 第31-34页 |
| ·电子束蒸发 | 第34-36页 |
| ·匀胶机和烘烤机 | 第36-37页 |
| ·紫外光刻机 | 第37-38页 |
| ·退火炉 | 第38-39页 |
| ·光谱型椭圆偏振仪 | 第39-41页 |
| ·扫描探针显微镜 | 第41-42页 |
| ·半导体参数仪和阻抗分析仪 | 第42-44页 |
| 3 InZnO/SiO_2薄膜晶体管器件的制备及性能研究 | 第44-52页 |
| ·InZnO/SiO_2薄膜晶体管的制备 | 第44页 |
| ·光刻技术的工艺流程 | 第44-47页 |
| ·光刻工艺中遇到的问题及解决方案 | 第47-48页 |
| ·InZnO/SiO_2薄膜晶体管的性能分析 | 第48-50页 |
| ·InZnO/SiO_2薄膜晶体管的稳定性的初步分析 | 第50-51页 |
| ·小结 | 第51-52页 |
| 4 Ta_2O_5栅介质薄膜的制备及性能研究 | 第52-61页 |
| ·Ta_2O_5栅介质薄膜及其MIM电容器的制备 | 第52-53页 |
| ·Ta_2O_5栅介质薄膜及其MIM电容器的性能研究 | 第53-60页 |
| ·Ta_2O_5薄膜的光学性能 | 第53-55页 |
| ·Ta_2O_5薄膜的表面形貌 | 第55-57页 |
| ·Ta_2O_5薄膜的电学性能 | 第57-60页 |
| ·小结 | 第60-61页 |
| 5 InZnO/Ta_2O_5薄膜晶体管器件的制备及性能研究 | 第61-68页 |
| ·InZnO/Ta_2O_5薄膜晶体管的制备 | 第61-62页 |
| ·InZnO/Ta_2O_5薄膜晶体管的性能分析 | 第62-64页 |
| ·InZnO/Ta_2O_5薄膜晶体管的稳定性分析 | 第64-67页 |
| ·小结 | 第67-68页 |
| 6 结论和展望 | 第68-70页 |
| ·结论 | 第68-69页 |
| ·展望 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-80页 |
| 附录 | 第80页 |
