化学液相法制备PbS红外光电薄膜及其性能研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-18页 |
| ·红外科学技术 | 第9-12页 |
| ·红外辐射的本质 | 第9-10页 |
| ·红外技术的发展 | 第10-11页 |
| ·红外技术在现代军事领域中的应用 | 第11-12页 |
| ·红外技术在现代民用领域中的应用 | 第12页 |
| ·硫化铅红外探测器 | 第12-16页 |
| ·红外探测器的基本原理 | 第12-14页 |
| ·硫化铅红外探测器概述 | 第14-15页 |
| ·硫化铅红外探测器的发展动态 | 第15-16页 |
| ·本论文的研究方案及技术路线 | 第16-18页 |
| 第二章 PbS的主要性能参数测试方法 | 第18-25页 |
| ·PbS薄膜的微结构表征 | 第18-19页 |
| ·XRD物相分析 | 第18-19页 |
| ·SEM表面形貌分析 | 第19页 |
| ·PbS薄膜的光电特性测试 | 第19-25页 |
| ·薄膜方阻测试 | 第19-20页 |
| ·红外光敏特性测试 | 第20-21页 |
| ·伏安特性测试 | 第21-22页 |
| ·响应时间测试 | 第22-23页 |
| ·电阻温度特性测试 | 第23-25页 |
| 第三章 PbS薄膜的沉积工艺及其性能研究 | 第25-41页 |
| ·PbS薄膜的沉积 | 第25-29页 |
| ·基片及器皿的清洗 | 第25-26页 |
| ·原料及反应液的配置 | 第26-27页 |
| ·PbS薄膜的沉积原理及工艺流程 | 第27-29页 |
| ·沉积温度对PbS薄膜微结构与红外响应的影响 | 第29-32页 |
| ·表面形貌分析 | 第30-31页 |
| ·方阻与灵敏度 | 第31-32页 |
| ·磁力搅拌速率对PbS薄膜微结构与红外响应的影响 | 第32-34页 |
| ·表面形貌分析 | 第32-33页 |
| ·方阻与灵敏度 | 第33-34页 |
| ·动态升温与静置恒温工艺下薄膜性能的对比 | 第34-40页 |
| ·晶体结构 | 第34-35页 |
| ·表面形貌与成分分析 | 第35-36页 |
| ·方阻与灵敏度 | 第36-37页 |
| ·Ⅰ-Ⅴ特性与响应时间 | 第37-38页 |
| ·电阻温度特性 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 PbS薄膜的敏化工艺及其性能研究 | 第41-53页 |
| ·PbS薄膜的高温敏化工艺 | 第41-42页 |
| ·PbS薄膜的敏化原理 | 第42-45页 |
| ·少数载流子势垒理论 | 第42-44页 |
| ·PbS薄膜光暗电导率的理论推导 | 第44-45页 |
| ·PbS薄膜在不同退火气氛下的性能研究 | 第45-53页 |
| ·微结构 | 第45-47页 |
| ·方阻与光电导灵敏度 | 第47-48页 |
| ·Ⅰ-Ⅴ特性与响应时间 | 第48-51页 |
| ·电阻温度特性 | 第51-53页 |
| 第五章 PbS探测器的制备封装及老化条件研究 | 第53-60页 |
| ·PbS薄膜的电极制作 | 第53-55页 |
| ·PbS薄膜的封装技术 | 第55-56页 |
| ·PbS探测器在不同老化条件下的性能研究 | 第56-60页 |
| ·方阻与灵敏度 | 第56-58页 |
| ·电阻温度特性 | 第58-60页 |
| 第六章 结论 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第65页 |
