摘要 | 第1-8页 |
ABSTRACT | 第8-12页 |
目录 | 第12-14页 |
第1章 研究背景 | 第14-44页 |
·量子计算简介 | 第14-15页 |
·量子点简介 | 第15-25页 |
·栅极电控量子点 | 第15-17页 |
·栅极电控量子点的库仑阻塞 | 第17-25页 |
·带有量子点接触的量子点结构 | 第25-35页 |
·量子点接触作为电荷探测器 | 第25-29页 |
·单电子隧穿的实时观测 | 第29-31页 |
·单电子隧穿的电子电荷统计计数 | 第31-35页 |
·电子弛豫时间的测量 | 第35-38页 |
·本章小结 | 第38-40页 |
参考文献 | 第40-44页 |
第2章 样品制备和低温测量 | 第44-74页 |
·微加工仪器和加工工艺简介 | 第44-63页 |
·紫外光曝光刻蚀 | 第45-48页 |
·电子显微镜和电子束曝光刻蚀 | 第48-58页 |
·蒸发镀膜 | 第58-59页 |
·原子层沉积 | 第59-61页 |
·其他常用小型设备 | 第61-63页 |
·砷化镓量子点器件样品加工工艺流程 | 第63-69页 |
·二维电子气基片 | 第63页 |
·耗尽型量子点器件加工流程 | 第63-69页 |
·低温测量平台和基本测量 | 第69-72页 |
·低温测量平台 | 第69-71页 |
·基本测量技术 | 第71-72页 |
·本章小结 | 第72-74页 |
第3章 非热平衡下的电子电荷统计计数 | 第74-94页 |
·实验测量连接和样品基本性质 | 第75-79页 |
·随机电报信号(RTS)测量 | 第79页 |
·热平衡下的电子电荷统计计数 | 第79-81页 |
·反作用的唯象理论模型解释 | 第81-87页 |
·反作用的截止能量影响因素分析 | 第87-90页 |
·本章小结 | 第90-92页 |
参考文献 | 第92-94页 |
第4章 反作用驱动的单电子自旋单态和三态跃迁 | 第94-108页 |
·实验样品和测量背景 | 第94-95页 |
·反作用驱动电子隧穿的实验描述 | 第95-98页 |
·唯象理论模型解释 | 第98-104页 |
·本章小结 | 第104-106页 |
参考文献 | 第106-108页 |
第5章 反作用驱动的电子自旋激发态谱测量 | 第108-120页 |
·实验样品和基本测量 | 第108-110页 |
·偶数电子填充的自旋激发态谱测量 | 第110-114页 |
·奇数电子填充的塞曼劈裂能级谱测量 | 第114-116页 |
·本章小结 | 第116-118页 |
参考文献 | 第118-120页 |
第6章 电子自旋单态和三态之间弛豫时间的测量 | 第120-134页 |
·实验样品和测量电路 | 第120-121页 |
·量子点不同电子数填充时的自旋三态到单态的弛豫时间测量 | 第121-126页 |
·强反作用下的自旋三态到单态的弛豫时间对磁场的依赖 | 第126-128页 |
·自旋三态到自旋单态的弛豫时间对反作用强度的依赖 | 第128-130页 |
·本章小结 | 第130-132页 |
参考文献 | 第132-134页 |
致谢 | 第134-138页 |
攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第138-139页 |