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砷化镓量子点中强测量反作用下的单电子电荷和自旋研究

摘要第1-8页
ABSTRACT第8-12页
目录第12-14页
第1章 研究背景第14-44页
   ·量子计算简介第14-15页
   ·量子点简介第15-25页
     ·栅极电控量子点第15-17页
     ·栅极电控量子点的库仑阻塞第17-25页
   ·带有量子点接触的量子点结构第25-35页
     ·量子点接触作为电荷探测器第25-29页
     ·单电子隧穿的实时观测第29-31页
     ·单电子隧穿的电子电荷统计计数第31-35页
   ·电子弛豫时间的测量第35-38页
   ·本章小结第38-40页
 参考文献第40-44页
第2章 样品制备和低温测量第44-74页
   ·微加工仪器和加工工艺简介第44-63页
     ·紫外光曝光刻蚀第45-48页
     ·电子显微镜和电子束曝光刻蚀第48-58页
     ·蒸发镀膜第58-59页
     ·原子层沉积第59-61页
     ·其他常用小型设备第61-63页
   ·砷化镓量子点器件样品加工工艺流程第63-69页
     ·二维电子气基片第63页
     ·耗尽型量子点器件加工流程第63-69页
   ·低温测量平台和基本测量第69-72页
     ·低温测量平台第69-71页
     ·基本测量技术第71-72页
   ·本章小结第72-74页
第3章 非热平衡下的电子电荷统计计数第74-94页
   ·实验测量连接和样品基本性质第75-79页
   ·随机电报信号(RTS)测量第79页
   ·热平衡下的电子电荷统计计数第79-81页
   ·反作用的唯象理论模型解释第81-87页
   ·反作用的截止能量影响因素分析第87-90页
   ·本章小结第90-92页
 参考文献第92-94页
第4章 反作用驱动的单电子自旋单态和三态跃迁第94-108页
   ·实验样品和测量背景第94-95页
   ·反作用驱动电子隧穿的实验描述第95-98页
   ·唯象理论模型解释第98-104页
   ·本章小结第104-106页
 参考文献第106-108页
第5章 反作用驱动的电子自旋激发态谱测量第108-120页
   ·实验样品和基本测量第108-110页
   ·偶数电子填充的自旋激发态谱测量第110-114页
   ·奇数电子填充的塞曼劈裂能级谱测量第114-116页
   ·本章小结第116-118页
 参考文献第118-120页
第6章 电子自旋单态和三态之间弛豫时间的测量第120-134页
   ·实验样品和测量电路第120-121页
   ·量子点不同电子数填充时的自旋三态到单态的弛豫时间测量第121-126页
   ·强反作用下的自旋三态到单态的弛豫时间对磁场的依赖第126-128页
   ·自旋三态到自旋单态的弛豫时间对反作用强度的依赖第128-130页
   ·本章小结第130-132页
 参考文献第132-134页
致谢第134-138页
攻读博士学位期间发表的学术论文第138-139页

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