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高功率面发射激光器的研究

摘要第1-6页
abstract第6-10页
1 绪论第10-17页
   ·半导体激光器的发展第10-11页
   ·VECSELs 的特性第11-13页
   ·VECSELs 研究进展第13-15页
     ·VECSELs 高功率研究进展第13页
     ·VECSELs 激光波长扩展的研究进展第13-14页
     ·VECSELs 超短脉冲研究进展第14-15页
   ·VECSELs 的应用第15-16页
   ·论文主要工作第16-17页
2 VECSELs 基本理论第17-39页
   ·基本结构第17-19页
   ·分布布拉格反射镜第19-25页
   ·周期谐振增益结构第25-27页
   ·多量子阱有源区第27-32页
     ·量子阱应变理论第27-28页
     ·量子阱临界厚度第28-29页
     ·量子阱的增益第29-31页
     ·量子阱的自发辐射谱第31-32页
   ·激光器的输出第32-38页
     ·输出阈值第32-34页
     ·输出功率第34-36页
     ·输出光斑第36-38页
   ·本章小结第38-39页
3 VECSELs 热管理第39-52页
   ·热管理基本理论第39-40页
   ·热管理技术第40-43页
     ·基质刻蚀第40-41页
     ·散热窗口第41-43页
   ·热管理工艺实验第43-51页
     ·粘贴散热片工艺第44-48页
     ·基质刻蚀工艺第48-51页
   ·本章小结第51-52页
4 高功率 VECSELs 特性研究第52-62页
   ·激光器构建第52-55页
     ·外延片结构第52-54页
     ·泵浦方式第54-55页
   ·增益材料特性第55-58页
     ·DBR 反射谱第56-57页
     ·面自发辐射谱第57-58页
   ·激光器输出特性第58-61页
     ·激光光谱第58-59页
     ·光束质量第59-60页
     ·输出功率第60-61页
   ·本章小结第61-62页
5 总结第62-64页
参考文献第64-70页
附录:作者攻读硕士学位期间发表论文及科研情况第70-71页
致谢第71页

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