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采用微接触印刷技术制备高度有序的表面微结构

摘要第1-8页
Abstract第8-14页
第一章 绪论第14-55页
   ·传统的微制造技术的发展概况及软刻蚀技术研发进展第14-36页
     ·传统的微制造(microfabrication)技术的发展第14-15页
     ·光刻技术第15-19页
     ·软刻蚀(soft Lithography)技术第19-23页
     ·微接触印刷(microcontact printing,μCP)第23-36页
       ·微接触印刷概念第23-24页
       ·自组装单分子膜第24-29页
       ·微接触印刷的研究现状第29-36页
   ·本论文中与微接触印刷相结合制备表面微结构的几种技术第36-45页
     ·高分子共混物超薄膜在图案化基底上的相分离第36-38页
     ·Breath figures第38-43页
     ·电化学沉积第43-45页
   ·论文选题思路及研究内容第45页
 参考文献第45-55页
第二章 实验技术和测试仪器第55-69页
   ·实验技术第55页
   ·测试仪器第55-67页
     ·光学显微镜第55-56页
     ·荧光显微镜第56-59页
     ·扫描电子显微镜第59-60页
     ·原子力显微镜第60-62页
     ·振动样品磁强计第62-66页
     ·X射线衍射第66-67页
 参考文献第67-69页
第三章 PS/PVP二元高分子共混物在图案化基底上的相分离:膜厚和图案周期的影响第69-88页
   ·引言第69-71页
   ·实验部分第71-73页
     ·实验材料第71页
     ·实验方法第71-73页
     ·图像采集第73页
   ·结果与讨论第73-84页
     ·均一基底上PS/PVP的相分离第73-76页
     ·图案化基底上PS/PVP的相分离第76-80页
     ·二维付立叶变换(2D FFT)分析第80-81页
     ·AFM数据分析第81-82页
     ·机理分析第82-83页
     ·相分离诱导图形化CdSe量子点和有机染料第83-84页
   ·本章小结第84-85页
 参考文献第85-88页
第四章 用图案化基底上四方堆积的breath figures模板制备高度有序CdSe荧光环阵列第88-105页
   ·引言第88-89页
   ·实验部分第89-92页
     ·实验材料第89-90页
     ·实验方法第90-91页
     ·表征仪器第91-92页
   ·结果与讨论第92-100页
     ·图形化基底和水珠模板对CdSe量子点组装的研究第92-93页
     ·四方堆积breath figures阵列对CdSe量子点组装的研究第93-95页
     ·不同因素对制备的CdSe阵列的影响讨论第95-100页
   ·本章小结第100页
 参考文献第100-105页
第五章 复杂CdSe QD阵列的制备研究第105-119页
   ·引言第105-106页
   ·实验部分第106-108页
     ·实验材料第106页
     ·实验方法第106-108页
     ·表征仪器第108页
   ·结果与讨论第108-116页
     ·稀溶液(~0.5 mM)条件下,制备的CdSe量子点阵列第108-112页
     ·浓溶液(~10 mM)条件下,制备的CdSe量子点阵列第112-115页
     ·多色量子点阵列的制备第115-116页
   ·本章小结第116-117页
 参考文献第117-119页
第六章 图形化FeNi合金薄膜的制备及其磁学性质研究第119-131页
   ·引言第119-121页
   ·实验部分第121-123页
     ·实验材料第121-122页
     ·实验方法第122-123页
     ·表征仪器第123页
   ·结果与讨论第123-128页
     ·图形化FeNi磁性薄膜电化学沉积制备条件的优化第123-124页
     ·图形化FeNi磁性薄膜形貌表征第124-126页
     ·图形化FeNi合金薄膜的XRD分析第126-127页
     ·图形化FeNi合金薄膜的磁学性质研究第127-128页
   ·本章小结第128页
 参考文献第128-131页
第七章 结论与展望第131-134页
附录 作者简历及博士在读期间发表论文和学术交流情况第134-136页
致谢第136-137页

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