摘要 | 第1-8页 |
Abstract | 第8-14页 |
第一章 绪论 | 第14-55页 |
·传统的微制造技术的发展概况及软刻蚀技术研发进展 | 第14-36页 |
·传统的微制造(microfabrication)技术的发展 | 第14-15页 |
·光刻技术 | 第15-19页 |
·软刻蚀(soft Lithography)技术 | 第19-23页 |
·微接触印刷(microcontact printing,μCP) | 第23-36页 |
·微接触印刷概念 | 第23-24页 |
·自组装单分子膜 | 第24-29页 |
·微接触印刷的研究现状 | 第29-36页 |
·本论文中与微接触印刷相结合制备表面微结构的几种技术 | 第36-45页 |
·高分子共混物超薄膜在图案化基底上的相分离 | 第36-38页 |
·Breath figures | 第38-43页 |
·电化学沉积 | 第43-45页 |
·论文选题思路及研究内容 | 第45页 |
参考文献 | 第45-55页 |
第二章 实验技术和测试仪器 | 第55-69页 |
·实验技术 | 第55页 |
·测试仪器 | 第55-67页 |
·光学显微镜 | 第55-56页 |
·荧光显微镜 | 第56-59页 |
·扫描电子显微镜 | 第59-60页 |
·原子力显微镜 | 第60-62页 |
·振动样品磁强计 | 第62-66页 |
·X射线衍射 | 第66-67页 |
参考文献 | 第67-69页 |
第三章 PS/PVP二元高分子共混物在图案化基底上的相分离:膜厚和图案周期的影响 | 第69-88页 |
·引言 | 第69-71页 |
·实验部分 | 第71-73页 |
·实验材料 | 第71页 |
·实验方法 | 第71-73页 |
·图像采集 | 第73页 |
·结果与讨论 | 第73-84页 |
·均一基底上PS/PVP的相分离 | 第73-76页 |
·图案化基底上PS/PVP的相分离 | 第76-80页 |
·二维付立叶变换(2D FFT)分析 | 第80-81页 |
·AFM数据分析 | 第81-82页 |
·机理分析 | 第82-83页 |
·相分离诱导图形化CdSe量子点和有机染料 | 第83-84页 |
·本章小结 | 第84-85页 |
参考文献 | 第85-88页 |
第四章 用图案化基底上四方堆积的breath figures模板制备高度有序CdSe荧光环阵列 | 第88-105页 |
·引言 | 第88-89页 |
·实验部分 | 第89-92页 |
·实验材料 | 第89-90页 |
·实验方法 | 第90-91页 |
·表征仪器 | 第91-92页 |
·结果与讨论 | 第92-100页 |
·图形化基底和水珠模板对CdSe量子点组装的研究 | 第92-93页 |
·四方堆积breath figures阵列对CdSe量子点组装的研究 | 第93-95页 |
·不同因素对制备的CdSe阵列的影响讨论 | 第95-100页 |
·本章小结 | 第100页 |
参考文献 | 第100-105页 |
第五章 复杂CdSe QD阵列的制备研究 | 第105-119页 |
·引言 | 第105-106页 |
·实验部分 | 第106-108页 |
·实验材料 | 第106页 |
·实验方法 | 第106-108页 |
·表征仪器 | 第108页 |
·结果与讨论 | 第108-116页 |
·稀溶液(~0.5 mM)条件下,制备的CdSe量子点阵列 | 第108-112页 |
·浓溶液(~10 mM)条件下,制备的CdSe量子点阵列 | 第112-115页 |
·多色量子点阵列的制备 | 第115-116页 |
·本章小结 | 第116-117页 |
参考文献 | 第117-119页 |
第六章 图形化FeNi合金薄膜的制备及其磁学性质研究 | 第119-131页 |
·引言 | 第119-121页 |
·实验部分 | 第121-123页 |
·实验材料 | 第121-122页 |
·实验方法 | 第122-123页 |
·表征仪器 | 第123页 |
·结果与讨论 | 第123-128页 |
·图形化FeNi磁性薄膜电化学沉积制备条件的优化 | 第123-124页 |
·图形化FeNi磁性薄膜形貌表征 | 第124-126页 |
·图形化FeNi合金薄膜的XRD分析 | 第126-127页 |
·图形化FeNi合金薄膜的磁学性质研究 | 第127-128页 |
·本章小结 | 第128页 |
参考文献 | 第128-131页 |
第七章 结论与展望 | 第131-134页 |
附录 作者简历及博士在读期间发表论文和学术交流情况 | 第134-136页 |
致谢 | 第136-137页 |