| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·WO_3半导体材料的基本性质、结构及应用 | 第9-12页 |
| ·WO_3的基本性质 | 第9页 |
| ·WO_3的结构 | 第9-10页 |
| ·WO_3纳米体材料的应用 | 第10-12页 |
| ·WO_3光电性能的影响因素 | 第12-16页 |
| ·材料结构 | 第12-13页 |
| ·贵金属负载 | 第13-14页 |
| ·无机半导体敏化 | 第14-15页 |
| ·非金属掺杂 | 第15-16页 |
| ·WO_3多孔薄膜的制备方法 | 第16-18页 |
| ·溶胶凝胶法 | 第16页 |
| ·阳极氧化法 | 第16-17页 |
| ·电沉积法 | 第17页 |
| ·模板法 | 第17-18页 |
| ·量子点敏化薄膜的制备方法 | 第18-20页 |
| ·化学浴法 | 第19页 |
| ·自组装单层法 | 第19-20页 |
| ·电沉积法 | 第20页 |
| ·本课题研究的目的与意义 | 第20-22页 |
| 第二章 实验与测试方法 | 第22-27页 |
| ·实验仪器和设备 | 第22页 |
| ·实验试剂 | 第22-23页 |
| ·WO_3多孔薄膜的制备 | 第23页 |
| ·CdS敏化WO_3多孔薄膜的制备 | 第23-24页 |
| ·FTO导电玻璃衬底处理 | 第24-25页 |
| ·薄膜结构表征及性能测试 | 第25-27页 |
| ·晶体结构测试 | 第25页 |
| ·薄膜表面形貌测试 | 第25页 |
| ·高分辨透射电子显微镜分析 | 第25页 |
| ·X-射线光电子能谱测试 | 第25-26页 |
| ·紫外-可见吸收光谱测试 | 第26页 |
| ·光电化学性能测试 | 第26-27页 |
| 第三章 胶晶模板法制备WO_3多孔薄膜及其光电化学性质研究 | 第27-45页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·实验部分 | 第27-29页 |
| ·PS球制备及模板形成原理 | 第27-28页 |
| ·WO_3多孔薄膜形成原理 | 第28页 |
| ·PS球胶晶模板的制备 | 第28页 |
| ·WO_3多孔薄膜的制备 | 第28-29页 |
| ·结果与讨论 | 第29-35页 |
| ·表面形貌及物相组成分析 | 第29-32页 |
| ·光吸收性能分析 | 第32-33页 |
| ·光电化学性能检测 | 第33-35页 |
| ·不同制备条件对WO_3薄膜性能的影响 | 第35-44页 |
| ·不同醇酸比对薄膜性能的影响 | 第35-37页 |
| ·不同煅烧温度对WO_3多孔薄膜性能的影响 | 第37-40页 |
| ·不同沉积时间对WO_3多孔薄膜性能的影响 | 第40-42页 |
| ·单层多孔结构及多层结构对薄膜光电化学性能的影响 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 CdS敏化WO_3多孔薄膜制备及其光电化学性质研究 | 第45-59页 |
| ·引言 | 第45页 |
| ·实验部分 | 第45-46页 |
| ·CdS薄膜制备原理 | 第45-46页 |
| ·量子点敏化WO_3多孔薄膜的制备 | 第46页 |
| ·量子点敏化WO_3多孔薄膜的表征 | 第46页 |
| ·结果与讨论 | 第46-58页 |
| ·CdS敏化WO_3多孔薄膜的组成 | 第46-47页 |
| ·CdS敏化WO_3多孔薄膜的形貌 | 第47-49页 |
| ·CdS敏化WO_3多孔薄膜的光学性质 | 第49-50页 |
| ·CdS敏化WO_3多孔薄膜的光电化学性质 | 第50-53页 |
| ·不同脉冲沉积通断比对薄膜性能的影响 | 第53-55页 |
| ·不同沉积电位对薄膜性能的影响 | 第55-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 结论与展望 | 第59-60页 |
| ·结论 | 第59页 |
| ·展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 攻读硕士学位期间主要的研究成果 | 第70页 |