CVI过程的多尺度建模
| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-10页 |
| §1.1 C\SiC复合材料概述 | 第6-7页 |
| §1.2 C\SiC制备过程的数值模拟 | 第7-8页 |
| §1.3 本文的选题依据,研究内容和基本方法 | 第8页 |
| §1.4 本文的主要结果 | 第8-10页 |
| 第二章 经典的CVI过程数值模拟 | 第10-18页 |
| §2.1 陶瓷基复合材料制备方法 | 第10-14页 |
| §2.2 经典的ICVI数值模型 | 第14-17页 |
| §2.3 本章小结 | 第17-18页 |
| 第三章 修正的CVI过程数学模型-多尺度模型 | 第18-42页 |
| §3.1 均匀化 | 第18-22页 |
| §3.2 修正的CVI数学模型 | 第22-26页 |
| §3.3 数值模拟和结果 | 第26-33页 |
| §3.4 模型收敛性分析 | 第33-38页 |
| §3.5 对非周期问题的处理 | 第38-41页 |
| §3.6 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 HMM框架下微观孔隙界面跟踪 | 第42-51页 |
| §4.1 微观孔隙界面跟踪 | 第42-44页 |
| §4.2 与HMM耦合 | 第44-46页 |
| §4.3 IIM方法求解间断问题 | 第46-50页 |
| §4.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 总结与展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 作者攻读硕士期间完成论文 | 第56页 |
