| 中文摘要 | 第1-8页 |
| 英文摘要 | 第8-13页 |
| 第一部分 GaP_(1-x)N_x混晶的光学性质 | 第13-85页 |
| 第一章 引言 | 第15-25页 |
| ·单晶GaP:N中的等电子陷阱 | 第15-17页 |
| ·GaP:N中等电子杂质的束缚机制 | 第17-20页 |
| ·重掺杂GaP:N(即GaPN混晶)的研究现状 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-25页 |
| 第二章 GaPN混晶的光致发光谱 | 第25-51页 |
| ·引言 | 第25-27页 |
| ·样品和实验方法 | 第27-28页 |
| ·GaP_(1-x)N_x混晶低温下的发光特性 | 第28-35页 |
| ·GaP_(1-x)N_x的光致发光的温度特性 | 第35-47页 |
| ·NN_3束缚激子与声子的耦合 | 第35-40页 |
| ·GaP_(1-x)N_x光致发光谱的温度特性 | 第40-47页 |
| ·结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-51页 |
| 第三章 GaP_(1-x)N_x混晶的喇曼散射谱 | 第51-65页 |
| ·引言 | 第51-52页 |
| ·喇曼散射的选择定则 | 第52-57页 |
| ·实验 | 第57页 |
| ·结果与分析 | 第57-62页 |
| ·结论 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 第四章 GaPN混晶的瞬态发光特性 | 第65-85页 |
| ·瞬态发光特性的研究方法-时间分辨光谱法 | 第65-67页 |
| ·实验 | 第67-68页 |
| ·实验结果与分析 | 第68-82页 |
| ·x=0.05％～0.24％GaP_(1-x)N_x样品的瞬态发光特性 | 第68-73页 |
| ·x=0.43％～0.81％GaP_(1-x)N_x样品的瞬态发光特性 | 第73-75页 |
| ·x=1.3％～3.1％GaP_(1-x)N_x样品的瞬态发光特性 | 第75-82页 |
| ·结论 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-85页 |
| 第二部分 三元Ga_xIn_(1-x)P和四元(Al_xGa_(1-x))_(0.51)In_(0.49)P合金的瞬态发光特性 | 第85-103页 |
| 第五章 Ga_xIn_(1-x)P和(Al_xGa_(1-x))_(0.51)In_(0.49)P合金的瞬态发光特性 | 第87-103页 |
| ·三元GaInP和四元AlGaInP合金独特光学性质 | 第87-89页 |
| ·实验 | 第89-92页 |
| ·样品 | 第89-91页 |
| ·实验装置 | 第91-92页 |
| ·实验结果与分析 | 第92-101页 |
| ·三元合金Ga_(0.52)In_(0.48)P的瞬态发光特性 | 第92-97页 |
| ·四元(Al_xGa_(1-x))_(0.51)In_(0.49)P(x=0.29)合金的发光瞬态特性 | 第97-101页 |
| ·结论 | 第101页 |
| 参考文献 | 第101-103页 |
| 博士生期间发表的论文 | 第103-105页 |
| 致谢 | 第105页 |
