| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-24页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·非挥发存储器研究进展 | 第8-14页 |
| ·经典浮栅Flash技术及其瓶颈 | 第8-10页 |
| ·新兴非挥发存储技术 | 第10-14页 |
| ·阻变存储器研究现状 | 第14-22页 |
| ·阻变存储器结构和分类 | 第14-16页 |
| ·阻变存储器机理 | 第16-20页 |
| ·阻变存储器的集成和工作原理 | 第20-22页 |
| ·本章小结以及论文框架结构 | 第22-24页 |
| 第二章 NiO_x材料阻变存储器的工艺控制和特性研究 | 第24-36页 |
| ·引言 | 第24页 |
| ·实验方案 | 第24-26页 |
| ·实验目标 | 第25页 |
| ·实验内容 | 第25-26页 |
| ·实验结果与分析 | 第26-34页 |
| ·电学特性表征与分析 | 第26-27页 |
| ·关键工艺参数对阻变性能的影响 | 第27-30页 |
| ·材料特性表征与机理分析 | 第30-34页 |
| ·本章小结 | 第34-36页 |
| 第三章 采用Al_2O_3/NiO_x/Al_2O_3结构的阻变存储器性能提升方法和机理研究 | 第36-47页 |
| ·引言 | 第36-39页 |
| ·实验方案 | 第39-40页 |
| ·实验目标 | 第39页 |
| ·实验内容 | 第39-40页 |
| ·实验结果与分析 | 第40-46页 |
| ·材料特性表征与分析 | 第40-42页 |
| ·Al_2O_3介质层对电学特性的影响 | 第42-45页 |
| ·相关机理分析 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 采用Al_2O_3/ZnO/Al_2O_3结构阻变存储器的低温制备和多级存储特性研究 | 第47-57页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·实验方案 | 第47-49页 |
| ·实验目标 | 第47-48页 |
| ·实验内容 | 第48-49页 |
| ·实验结果与分析 | 第49-56页 |
| ·材料特性表征 | 第49-51页 |
| ·电学特性表征与分析 | 第51-52页 |
| ·多级存储特性研究 | 第52-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 硕士阶段发表论文 | 第65-66页 |
| 硕士阶段申请专利 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
