| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-30页 |
| ·宽带隙半导体的兴起 | 第10-12页 |
| ·氮化硼的同素异构体 | 第12-16页 |
| ·立方氮化硼的性质与制备 | 第16-21页 |
| ·立方氮化硼的性质与应用前景 | 第16-19页 |
| ·立方氮化硼单晶的制备 | 第19-21页 |
| ·立方氮化硼薄膜的制备及存在的问题 | 第21-27页 |
| ·立方氮化硼的电学应用研究 | 第27-28页 |
| ·本文研究内容与意义 | 第28-30页 |
| 第2章 立方氮化硼薄膜的结构和成分表征 | 第30-38页 |
| ·傅立叶红外吸收光谱 | 第30-32页 |
| ·拉曼光谱 | 第32-33页 |
| ·扫描电子显微镜及能谱 | 第33页 |
| ·透射电子显微镜 | 第33-34页 |
| ·X 射线衍射 | 第34-35页 |
| ·X 射线光电子能谱 | 第35页 |
| ·原子力显微镜 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-38页 |
| 第3章 射频溅射制备本征立方氮化硼薄膜 | 第38-56页 |
| ·射频溅射原理 | 第38-42页 |
| ·辉光放电 | 第38-40页 |
| ·溅射机理 | 第40-41页 |
| ·溅射镀膜 | 第41-42页 |
| ·射频溅射镀膜 | 第42页 |
| ·制备cBN 薄膜的射频溅射系统 | 第42-44页 |
| ·一步法制备cBN 薄膜的实验过程 | 第44-53页 |
| ·一般过程 | 第44-46页 |
| ·衬底偏压的影响 | 第46-49页 |
| ·衬底温度的影响 | 第49-53页 |
| ·两步法制备立方氮化硼薄膜 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 第4章 高质量本征立方氮化硼薄膜制备 | 第56-80页 |
| ·射频磁控溅射和 ECR-CVD 系统 | 第56-59页 |
| ·射频磁控溅射系统 | 第56-57页 |
| ·ECR-CVD 系统 | 第57-59页 |
| ·在硅衬底上沉积cBN 薄膜 | 第59-67页 |
| ·射频磁控溅射系统 | 第59-63页 |
| ·ECR-CVD 系统 | 第63-67页 |
| ·在金刚石衬底上沉积cBN 薄膜 | 第67-77页 |
| ·射频磁控溅射系统 | 第67-72页 |
| ·ECR-CVD 系统制备 | 第72-77页 |
| ·本章小结 | 第77-80页 |
| 第5章 铍离子注入的cBN 薄膜电学特性及其异质结研究 | 第80-100页 |
| ·半导体的掺杂 | 第80-82页 |
| ·cBN 薄膜的离子注入掺杂 | 第82-90页 |
| ·离子注入掺杂 | 第82-85页 |
| ·cBN 薄膜制备 | 第85-86页 |
| ·Be 离子注入 | 第86页 |
| ·霍尔效应测量 | 第86-90页 |
| ·Be 离子注入p-BN/n-Si 异质结研究 | 第90-98页 |
| ·半导体异质结 | 第90-93页 |
| ·p-BN/n-Si 异质结制备 | 第93-98页 |
| ·本章小结 | 第98-100页 |
| 第6章 高质量立方氮化硼薄膜的离子注入掺杂 | 第100-110页 |
| ·多晶cBN 薄膜的掺杂 | 第100-107页 |
| ·多晶cBN 薄膜的p 型掺杂 | 第101-105页 |
| ·多晶cBN 薄膜的n 型掺杂 | 第105-107页 |
| ·纳米cBN 薄膜的p 型掺杂 | 第107-108页 |
| ·本章小结 | 第108-110页 |
| 结论 | 第110-112页 |
| 1. 立方氮化硼薄膜的制备研究 | 第110-111页 |
| 2. 立方氮化硼薄膜的掺杂研究 | 第111-112页 |
| 参考文献 | 第112-124页 |
| 攻读博士期间所发表的学术论文 | 第124-126页 |
| 致谢 | 第126页 |