电子器件中铜及ITO薄膜电极的腐蚀行为研究
| 目录 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 前言 | 第9-12页 |
| 第一章 研究背景及文献综述 | 第12-25页 |
| ·引言 | 第12-13页 |
| ·铜薄膜与氧化腐蚀 | 第13-16页 |
| ·铜薄膜在电子器件中的应用 | 第13-14页 |
| ·铜薄膜的氧化腐蚀问题 | 第14页 |
| ·金属薄膜的一般氧化过程 | 第14-16页 |
| ·ITO透明导电薄膜与电化学腐蚀 | 第16-23页 |
| ·ITO薄膜的基本结构与性能 | 第16-17页 |
| ·ITO薄膜的制备技术 | 第17-19页 |
| ·ITO薄膜在电子器件中的应用 | 第19-20页 |
| ·腐蚀电化学行为 | 第20-23页 |
| ·电化学分析 | 第20-21页 |
| ·电极极化 | 第21页 |
| ·电极系统的界面结构 | 第21-23页 |
| ·相关研究现状与文献综述 | 第23-24页 |
| ·铜薄膜的研究现状 | 第23页 |
| ·ITO薄膜的研究现状 | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第二章 实验方法 | 第25-37页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·样品制备 | 第25-29页 |
| ·真空蒸镀法制备铜薄膜 | 第25-28页 |
| ·真空蒸发设备 | 第26-27页 |
| ·薄膜厚度控制 | 第27-28页 |
| ·ITO电化学测试样品的制备 | 第28-29页 |
| ·研究方法 | 第29-34页 |
| ·同位素示踪法 | 第29-30页 |
| ·方块电阻法 | 第30-31页 |
| ·循环伏安法 | 第31-32页 |
| ·电化学阻抗谱 | 第32-34页 |
| ·结构与性能表征 | 第34-36页 |
| ·X射线衍射谱表征薄膜表面成分与结构 | 第34-35页 |
| ·二次离子质谱表征薄膜浅层成分分布 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 同位素示踪法研究铜薄膜在水汽中的氧化传质 | 第37-45页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·氧化实验与氧化产物表征 | 第37-42页 |
| ·氧化实验过程 | 第37-38页 |
| ·氧化产物结构分析 | 第38-39页 |
| ·同位素在氧化膜内的分布表征 | 第39-42页 |
| ·微观扩散机制研究 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 电化学阻抗谱分析ITO薄膜的电化学腐蚀 | 第45-58页 |
| ·引言 | 第45页 |
| ·EIS表征ITO薄膜电化学极化过程 | 第45-52页 |
| ·ITO薄膜原样的EIS谱分析 | 第45-47页 |
| ·ITO薄膜的电化学阴极极化 | 第47-48页 |
| ·电化学阻抗谱表征极化过程 | 第48-50页 |
| ·ITO薄膜的电化学腐蚀机理分析 | 第50-52页 |
| ·环境参数对ITO薄膜电化学腐蚀的影响 | 第52-56页 |
| ·溶液pH值 | 第52-53页 |
| ·溶液温度 | 第53-55页 |
| ·溶液氯离子浓度 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 总结与展望 | 第58-61页 |
| ·总结 | 第58-59页 |
| ·展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-68页 |
| 附录 | 第68-69页 |
| 后记 | 第69-70页 |
