摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-10页 |
引言 | 第10-11页 |
1 文献综述 | 第11-30页 |
·纳米二氧化钛的性质及研究进展 | 第11-16页 |
·纳米二氧化钛的性质 | 第11页 |
·纳米二氧化钛的晶型结构 | 第11-12页 |
·二氧化钛纳米管的制备 | 第12-14页 |
·纳米二氧化钛在环境领域的应用 | 第14-16页 |
·纳米二氧化钛的光电催化氧化研究 | 第16-27页 |
·二氧化钛的能带结构 | 第16-17页 |
·光电催化氧化的基本原理 | 第17-19页 |
·光电催化反应动力学 | 第19-20页 |
·光电催化反应器 | 第20页 |
·影响光电催化反应的因素 | 第20-24页 |
·提高TiO_2光电催化性能的途径 | 第24-27页 |
·氯酚废水处理的研究进展 | 第27-30页 |
·氯酚废水的来源、危害 | 第27页 |
·氯酚废水的处理 | 第27-29页 |
·传统处理方法存在的问题 | 第29页 |
·光电催化氧化技术的优点 | 第29-30页 |
2 实验目的及内容 | 第30-32页 |
·研究目的及意义 | 第30页 |
·研究内容 | 第30-32页 |
·TiO_2纳米管的制备及表征 | 第30-31页 |
·TiO_2纳米管光电催化降解4-氯酚研究 | 第31页 |
·TiO_2纳米管的改性研究 | 第31-32页 |
3 TiO_2纳米管的制备及其表征 | 第32-43页 |
·实验药品和仪器 | 第32-33页 |
·实验材料和试剂 | 第32页 |
·实验仪器 | 第32-33页 |
·电化学阳极氧化法制备TiO_2纳米管 | 第33页 |
·钛片的预处理 | 第33页 |
·TiO_2纳米管的制备 | 第33页 |
·TiO_2纳米管的表征分析 | 第33-40页 |
·扫描电子显微镜(SEM)分析 | 第33-34页 |
·X-射线衍射(XRD)分析 | 第34-36页 |
·X-射线光电子能谱(XPS)分析 | 第36-37页 |
·紫外-可见漫反射(DRS)分析 | 第37-38页 |
·光致发光光谱(PL)分析 | 第38-39页 |
·表面光电压谱(SPS)分析 | 第39-40页 |
·TiO_2纳米管的形成机理 | 第40-42页 |
·电解过程中电流的变化 | 第40-41页 |
·TiO_2纳米管的形成机理分析 | 第41-42页 |
·结论 | 第42-43页 |
4 TiO_2纳米管光电催化降解4-氯酚研究 | 第43-64页 |
·实验药品和仪器 | 第43-44页 |
·实验材料和试剂 | 第43页 |
·实验仪器 | 第43页 |
·光电催化反应系统 | 第43-44页 |
·实验部分 | 第44-49页 |
·预实验 | 第44-46页 |
·分析方法 | 第46-47页 |
·空白实验 | 第47页 |
·电化学、直接光解、光催化、光电催化对4-氯酚降解的比较 | 第47-49页 |
·光电催化降解4-氯酚的影响因素分析 | 第49-59页 |
·外加偏压的影响 | 第49-51页 |
·4-氯酚初始浓度的影响 | 第51-53页 |
·溶液pH值的影响 | 第53-55页 |
·光强的影响 | 第55-57页 |
·电解质的影响 | 第57-58页 |
·通入气体的影响 | 第58-59页 |
·TiO_2纳米管稳定性研究 | 第59-60页 |
·TiO_2纳米管光电催化降解4-氯酚机理的初步探讨 | 第60-62页 |
·紫外-可见吸收光谱分析 | 第60-61页 |
·TOC分析 | 第61页 |
·CI~-浓度的测定 | 第61-62页 |
·自由基消除剂的加入 | 第62页 |
·结论 | 第62-64页 |
5 TiO_2纳米管的改性及其催化性能研究 | 第64-76页 |
·实验药品和仪器 | 第64页 |
·实验材料和试剂 | 第64页 |
·实验仪器 | 第64页 |
·TiO_2/ZnO复合纳米管的制备及光电催化性能研究 | 第64-70页 |
·TiO_2/ZnO复合纳米管的制备 | 第64-65页 |
·TiO_2/ZnO复合纳米管的表征 | 第65-68页 |
·TiO_2/ZnO复合纳米管电极光电催化性能研究 | 第68-70页 |
·N掺杂TiO_2纳米管的制备及可见光催化活性研究 | 第70-75页 |
·N掺杂TiO_2纳米管的制备 | 第70-71页 |
·N掺杂TiO_2纳米管的表征 | 第71-74页 |
·N掺杂TiO_2纳米管的可见光催化活性研究 | 第74-75页 |
·结论 | 第75-76页 |
结论 | 第76-77页 |
参考文献 | 第77-83页 |
攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第83-84页 |
致谢 | 第84-85页 |