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低温下铜氧化物超导体微结构的正电子湮没研究

摘要第1-7页
ABSTRACT第7-11页
目录第11-12页
第一章 绪论第12-21页
 1 超导现象第12页
 2 高温超导体的发展第12-14页
 3 高温超导领域的困惑第14-15页
 4 高温超导的研究进展第15-20页
 5 研究任务和意义第20-21页
第二章 正电子湮没技术第21-33页
 1 概述第21页
 2 空位型缺陷对正电子的捕获第21-22页
 3 正电子寿命谱仪第22-23页
 4 正电子两态捕获模型第23-26页
 5 正电子寿命谱分析第26-27页
 6 正电子湮没率与电子密度第27-29页
   ·均匀电子气系统中的正电子湮没率第27-28页
   ·非均匀电子系统中的正电子湮没率第28-29页
 7 正电子湮没辐射Doppler展宽第29-33页
第三章 高温超导体的Doppler展宽实验第33-42页
 1 引言第33-34页
 2 高温超导体YBCO及BPSCCO部分掺杂的Doppler效应第34-41页
   ·掺Zn与Ga的YBCO体系的Doppler展宽第37-39页
   ·掺Zn与Ga的BPSCCO体系的Doppler展宽第39-41页
 3 小结第41-42页
第四章 高温超导体的微观缺陷和电子密度随温度的变化第42-53页
 1 引言第42页
 2 Bi系高温超导体的变温过程第42-51页
   ·未掺杂样品的变温过程第43-45页
   ·掺Ga(x=0.3)样品的变温过程第45-47页
   ·掺Zn(x=0.15,0.6)样品的变温过程第47-51页
 3 小结第51-53页
参考文献第53-56页
致谢第56-57页
硕士期间完成论文情况第57页

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