| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-22页 |
| ·研究太阳能电池的意义 | 第11-13页 |
| ·太阳能电池的发展及现状 | 第13-21页 |
| ·化合物半导体薄膜电池 | 第15-16页 |
| ·染料敏化TiO_2太阳电池 | 第16-17页 |
| ·硅基太阳能电池 | 第17-21页 |
| ·小结 | 第21-22页 |
| 第二章 硅薄膜太阳能电池中的界面效应 | 第22-30页 |
| ·硅薄膜太阳能电池的结构 | 第22页 |
| ·界面效应 | 第22-28页 |
| ·p/i界面接触层 | 第23-24页 |
| ·TCO/p界面层，SnO_2和ZnO:Al的比较 | 第24-26页 |
| ·n/TCO界面层 | 第26-27页 |
| ·非理想界面 | 第27-28页 |
| ·小结 | 第28页 |
| ·开题思想 | 第28-30页 |
| 第三章 透明导电薄膜与p-Si:H膜接触特性的研究 | 第30-46页 |
| ·理论基础 | 第30-34页 |
| ·异质结的能带图 | 第30-31页 |
| ·异质pn结的势垒区宽度 | 第31-32页 |
| ·晶格匹配和界面态 | 第32-33页 |
| ·界面态对异质结能带图的影响 | 第33页 |
| ·隧穿效应和欧姆接触 | 第33-34页 |
| ·不同透明导电膜性质的比较 | 第34-39页 |
| ·光学特性的比较 | 第35-36页 |
| ·择优取向的比较 | 第36-37页 |
| ·与H等离子体的作用 | 第37-39页 |
| ·实验设计及方法 | 第39-40页 |
| ·实验结果与讨论 | 第40-45页 |
| ·不同透明导电膜上p-μc-Si:H薄膜的晶化率和表面形貌的比较 | 第40-42页 |
| ·不同透明导电膜与p-a-Si:H接触特性的比较 | 第42-45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| 第四章 ZnO:Al薄膜表面织构的研究 | 第46-52页 |
| ·制作过程及反应机理 | 第47-51页 |
| ·制作过程 | 第48页 |
| ·化学反应机理 | 第48-49页 |
| ·微结构形成与反应条件的关系 | 第49-51页 |
| ·小结 | 第51-52页 |
| 第五章 p型微晶硅与织构ZnO:Al的接触特性 | 第52-59页 |
| ·实验设计及方法 | 第52页 |
| ·实验结果与讨论 | 第52-58页 |
| ·不同织构ZnO:Al上沉积的p-μc-Si:H薄膜的晶化率和表面形貌 | 第52-54页 |
| ·p型微晶硅的掺杂浓度对晶化率和表面形貌的影响 | 第54-56页 |
| ·不同织构时间对ZnO:Al/p接触特性的影响 | 第56页 |
| ·p型微晶硅的掺杂浓度对ZnO:Al/p接触特性的影响 | 第56-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 第六章 背电极 ZnO:Al的薄膜与n-a-Si:H的接触特性 | 第59-66页 |
| ·实验方法和设计 | 第60页 |
| ·实验结果和讨论 | 第60-65页 |
| ·沉积硅膜的结晶状况 | 第60-61页 |
| ·电子束蒸发 ZnO:Al膜掺杂浓度对n-a-Si:H/ZnO:Al接触特性影响 | 第61-62页 |
| ·电子束蒸发 ZnO:Al膜的厚度对n-a-Si:H/ZnO:Al接触特性影响 | 第62-63页 |
| ·磁控溅射 ZnO:Al膜的厚度对n-a-Si:H/ZnO:Al接触特性影响 | 第63-65页 |
| ·小结 | 第65-66页 |
| 第七章 结论 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 发表论文 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
