| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-27页 |
| ·问题的由来——超大规模集成电路（ULSI）发展遭遇瓶颈 | 第8-10页 |
| ·低介电常数材料的基本介绍 | 第10-21页 |
| ·目前IC 低介电材料的制备方法及对介电常数的影响 | 第21-25页 |
| ·本文的研究内容 | 第25-27页 |
| 2 多孔甲基硅倍半氧烷(O-MSSQ)薄膜的 Sol-Gel 法制备与实验方法 | 第27-33页 |
| ·溶胶-凝胶薄膜工艺概述 | 第27-28页 |
| ·多孔O-MSSQ 薄膜的制备 | 第28-31页 |
| ·多孔O-MSSQ 薄膜的测试表征技术 | 第31-33页 |
| 3 多孔甲基硅倍半氧烷(O-MSSQ)薄膜的结构表征 | 第33-40页 |
| ·多孔O-MSSQ 薄膜的结构 | 第33-37页 |
| ·烧结温度对薄膜成分的影响 | 第37-38页 |
| ·多孔O-MSSQ 的热稳定性 | 第38-39页 |
| ·本章结论 | 第39-40页 |
| 4 多孔O-MSSQ 薄膜的性能研究 | 第40-51页 |
| ·多孔O-MSSQ 薄膜的电学特性 | 第40-44页 |
| ·多孔O-MSSQ 薄膜的形貌分析 | 第44-50页 |
| ·多孔O-MSSQ 薄膜的附着力测试 | 第50页 |
| ·本章结论 | 第50-51页 |
| 5 全文总结 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 附录 攻读硕士学位期间发表论文目录 | 第57页 |
