| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-23页 |
| ·脉冲功率技术概述 | 第10-11页 |
| ·脉冲功率系统中开关元件的发展 | 第11-16页 |
| ·半导体器件建模概述 | 第16-20页 |
| ·器件建模的基本指导思想 | 第17页 |
| ·器件建模的基本要求 | 第17-18页 |
| ·器件建模的基本方法 | 第18-20页 |
| ·本论文研究内容 | 第20-23页 |
| 2 RSD 的工作原理及其对 Grekhov 模型的分析 | 第23-41页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·借助可控等离子层换流的原理 | 第23-24页 |
| ·RSD 的工作过程及解析模型的建立 | 第24-40页 |
| ·RSD 的结构及基本工作原理 | 第24-26页 |
| ·基本方程的导出 | 第26-28页 |
| ·预充过程的分析 | 第28-32页 |
| ·导通过程的分析 | 第32-35页 |
| ·对电流换向时刻附近临界预充电荷量的分析 | 第35-40页 |
| ·对 Grekhov 模型的评价 | 第40页 |
| ·Grekhov 模型的优点 | 第40页 |
| ·Grekhov 模型存在的问题 | 第40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 3 RSD 数值模型的建立 | 第41-52页 |
| ·引言 | 第41-42页 |
| ·基本方程的建立 | 第42-45页 |
| ·对器件内非线性效应的分析 | 第45-48页 |
| ·碰撞电离效应 | 第45页 |
| ·迁移率随电场的变化效应 | 第45-48页 |
| ·边界条件的处理 | 第48-50页 |
| ·模型的进一步分析讨论 | 第50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 4 模型的数值方法处理及RSD 电路实验 | 第52-71页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·基本方程的离散化及误差分析 | 第52-55页 |
| ·对器件压降的分析 | 第55-58页 |
| ·对 Matlab 程序的分析 | 第58-62页 |
| ·实验与讨论 | 第62-70页 |
| ·大电感情况 | 第62-64页 |
| ·磁开关情况 | 第64-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 结论 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-76页 |
| 附录Ⅰ攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第76-77页 |
| 附录II | 第77-100页 |