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高功率垂直腔面发射激光器的设计及制备

摘要第1-8页
ABSTRACT第8-14页
第一章 绪论第14-33页
   ·垂直腔面发射激光器的特性与优势第14-15页
   ·垂直腔面发射激光器的应用第15-18页
   ·垂直腔面发射激光器的发展历史、现状及发展趋势第18-21页
     ·垂直腔面发射激光器的发展历史第18-19页
     ·垂直腔面发射激光器的发展现状及发展趋势第19-21页
   ·本课题的意义第21-31页
     ·高功率半导体激光器的应用第21-27页
     ·高功率半导体激光器的研发现状第27-29页
     ·开展高功率垂直腔面发射半导体激光器研究的意义第29-31页
   ·本论文的主要研究内容第31页
 参考文献第31-33页
第二章 垂直腔面发射激光器的设计基础第33-47页
   ·半导体中激光的产生机制第33-35页
   ·垂直腔面发射激光器的工作特性第35-39页
     ·垂直腔面发射激光器的高品质因数第35-36页
     ·垂直腔面发射激光器中的微腔效应第36-38页
     ·垂直腔面发射激光器的阈值条件第38-39页
   ·垂直腔面发射激光器中的电流分布第39-41页
   ·垂直腔面发射激光器的热特性分析第41-45页
     ·半导体激光器的热特性分析第41-43页
     ·加强垂直腔面发射激光器的热管理第43-45页
   ·本章小结第45-46页
 参考文献第46-47页
第三章 高功率垂直腔面发射激光器的设计第47-64页
   ·分布布拉格反射镜的设计第47-53页
     ·DBR的组分分布第48-50页
     ·DBR多层膜结构的设计第50-53页
   ·有源区及光腔的设计第53-55页
   ·氧化物限制层的设计第55-57页
   ·器件结构尺寸的设计第57-61页
     ·器件尺寸与电流和载流子泄漏的关系第57-58页
     ·尺寸效应对热特性的影响第58-61页
   ·本章小结第61-62页
 参考文献第62-64页
第四章 选择性氧化技术第64-84页
   ·质子注入技术的优缺点第64-65页
   ·AlGaAs选择性氧化技术简介第65-68页
     ·AlGaAs选择性氧化技术的原理简介第65-66页
     ·选择性氧化技术的优势与发展现状第66-68页
   ·氧化窗口的结构设计第68-70页
   ·GaAs/AlGaAs材料的选择性腐蚀工艺研究第70-73页
     ·GaAs/AlGaAs材料腐蚀液的选取第70-72页
     ·GaAs/AlGaAs的选择腐蚀速率第72-73页
   ·选择性氧化工艺稳定性研究第73-81页
     ·选择性氧化实验第74-78页
     ·分析氧化速率与炉温、氧化时间的依赖关系第78-79页
     ·分析氧化速率与 N_2流量的依赖关系第79-80页
     ·分析氧化速率与氧化台面形状的依赖关系第80-81页
   ·器件制作第81页
   ·本章小结第81-82页
 参考文献第82-84页
第五章 垂直腔面发射激光器的测试及分析第84-95页
   ·器件的光电特性测试第84-86页
   ·器件的热特性测试第86-92页
     ·温度参数即升即测测试装置第86-89页
     ·结果分析与讨论第89-92页
   ·优化设计的器件与未优化设计器件的性能比较第92-94页
   ·本章小结第94页
 参考文献第94-95页
第六章 垂直腔面发射激光器阵列技术第95-107页
   ·垂直腔面发射激光器阵列的应用及其研究进展第95-97页
   ·氧化物隔离垂直腔面发射激光器阵列第97-98页
   ·垂直腔面发射激光器阵列的版图设计第98-99页
   ·阵列器件测试第99-104页
     ·在片检测装置第99-101页
     ·测试结果分析第101-104页
   ·阵列器件中的热特性分析第104-105页
   ·本章小结第105-106页
 参考文献第106-107页
第七章 高功率大出光孔垂直腔面发射激光器的优化设计第107-117页
   ·高功率大出光孔垂直腔面发射激光器的发展状况第107-108页
   ·面临的主要问题第108-110页
   ·分析大出光孔垂直腔面发射激光器中的电流分布第110-112页
   ·大出光孔垂直腔面发射激光器中电注入结构的优化设计第112-114页
   ·本章小结第114-115页
 参考文献第115-117页
结束语第117-119页
致谢第119-120页
博士期间发表的文章及其他成果第120-122页

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