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基于衬底驱动MOS技术的亚1V CMOS混频器设计

摘要第1-7页
Abstract第7-10页
第一章 绪论第10-18页
   ·论文的背景和研究意义第10-11页
   ·低压低功耗集成电路设计技术第11-14页
   ·混频器的发展与挑战第14-15页
   ·论文的主要工作第15-18页
第二章 接收机的系统结构第18-30页
   ·引言第18页
   ·超外差接收机第18-24页
     ·超外差接收机结构第18-20页
     ·镜像干扰第20-21页
     ·中频选择第21-23页
     ·二次变频第23-24页
   ·零中频方案第24-26页
   ·低中频接收机第26-28页
   ·本章小结第28-30页
第三章 混频器的设计理论第30-44页
   ·引言第30页
   ·混频器工作原理第30-33页
   ·混频器的分类第33-36页
     ·单端结构第33-34页
     ·单平衡结构第34-35页
     ·双平衡结构第35-36页
   ·混频器的设计指标第36-44页
     ·线性度第36-39页
     ·其他重要指标第39-44页
第四章 亚1V CMOS混频器设计第44-56页
   ·引言第44页
   ·衬底驱动原理第44-46页
   ·衬底驱动PMOS晶体管的低压特性第46-48页
   ·混频器的设计技术第48-53页
   ·0.8V 2.4GHz CMOS混频器第53-55页
   ·本章结论第55-56页
第五章 线性度分析第56-64页
   ·非线性的来源第56-58页
   ·伏特拉级数简介第58-60页
     ·伏特拉级数和伏特拉核的定义第58-59页
     ·一些与伏特拉级数相关的定理第59-60页
   ·CMOS混频器的三阶交调表达式第60-62页
   ·仿真结果和讨论第62-64页
第六章 结束语第64-66页
致谢第66-68页
参考文献第68-72页
研究成果第72页

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