基于衬底驱动MOS技术的亚1V CMOS混频器设计
摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-10页 |
第一章 绪论 | 第10-18页 |
·论文的背景和研究意义 | 第10-11页 |
·低压低功耗集成电路设计技术 | 第11-14页 |
·混频器的发展与挑战 | 第14-15页 |
·论文的主要工作 | 第15-18页 |
第二章 接收机的系统结构 | 第18-30页 |
·引言 | 第18页 |
·超外差接收机 | 第18-24页 |
·超外差接收机结构 | 第18-20页 |
·镜像干扰 | 第20-21页 |
·中频选择 | 第21-23页 |
·二次变频 | 第23-24页 |
·零中频方案 | 第24-26页 |
·低中频接收机 | 第26-28页 |
·本章小结 | 第28-30页 |
第三章 混频器的设计理论 | 第30-44页 |
·引言 | 第30页 |
·混频器工作原理 | 第30-33页 |
·混频器的分类 | 第33-36页 |
·单端结构 | 第33-34页 |
·单平衡结构 | 第34-35页 |
·双平衡结构 | 第35-36页 |
·混频器的设计指标 | 第36-44页 |
·线性度 | 第36-39页 |
·其他重要指标 | 第39-44页 |
第四章 亚1V CMOS混频器设计 | 第44-56页 |
·引言 | 第44页 |
·衬底驱动原理 | 第44-46页 |
·衬底驱动PMOS晶体管的低压特性 | 第46-48页 |
·混频器的设计技术 | 第48-53页 |
·0.8V 2.4GHz CMOS混频器 | 第53-55页 |
·本章结论 | 第55-56页 |
第五章 线性度分析 | 第56-64页 |
·非线性的来源 | 第56-58页 |
·伏特拉级数简介 | 第58-60页 |
·伏特拉级数和伏特拉核的定义 | 第58-59页 |
·一些与伏特拉级数相关的定理 | 第59-60页 |
·CMOS混频器的三阶交调表达式 | 第60-62页 |
·仿真结果和讨论 | 第62-64页 |
第六章 结束语 | 第64-66页 |
致谢 | 第66-68页 |
参考文献 | 第68-72页 |
研究成果 | 第72页 |