| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-23页 |
| ·半导体陶瓷概述 | 第8-9页 |
| ·压敏电阻电学性质 | 第9-11页 |
| ·压敏电阻主要性能参数 | 第11-13页 |
| ·压敏电阻器的分类 | 第13-15页 |
| ·TiO_2 的晶体结构及能带结构 | 第15-17页 |
| ·压敏电阻器应用 | 第17-20页 |
| ·国内外TiO_2 压敏电阻发展概况 | 第20-22页 |
| ·本文的工作 | 第22-23页 |
| 2 TiO_2 基压敏陶瓷制备工艺研究 | 第23-41页 |
| ·电子陶瓷的定义及其类别 | 第23页 |
| ·配料 | 第23页 |
| ·原料的粉碎和混合 | 第23-28页 |
| ·成型 | 第28-29页 |
| ·电子陶瓷烧结原理 | 第29页 |
| ·烧结过程的能量变化与物质传递方程 | 第29-32页 |
| ·烧结过程分类及SEM 分析 | 第32-36页 |
| ·烧结工艺对材料性能的影响 | 第36-39页 |
| ·烧结工艺的确定 | 第39-40页 |
| ·样品后期处理及测试 | 第40-41页 |
| 3 Bi_2O_3 掺杂对NB_2O_5-TiO_2 压敏电阻的影响 | 第41-53页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·样品的制备 | 第41页 |
| ·样品测试 | 第41-42页 |
| ·NB_2O_5 对TiO_2 晶粒的半导化作用 | 第42-43页 |
| ·Bi_2O_3 掺杂浓度对样品压敏性能的影响 | 第43-48页 |
| ·Bi_2O_3 掺杂量对样品性能的影响及分析 | 第48-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 4 SB_2O_3掺杂对TiO_2 陶瓷的影响 | 第53-63页 |
| ·引言 | 第53页 |
| ·样品制备 | 第53页 |
| ·样品测试 | 第53-54页 |
| ·烧结温度对样品的影响及机理分析 | 第54-55页 |
| ·SB_2O_3 掺杂量对样品压敏性能的影响 | 第55-58页 |
| ·SB_2O_3 掺杂量对样品性能影响的分析 | 第58-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 5 本文总结 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 附录Ⅰ攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第70页 |