| 第1章 绪论 | 第1-19页 |
| ·课题研究的意义 | 第8-9页 |
| ·计算方法和理论 | 第9-11页 |
| ·第一性原理 | 第9-10页 |
| ·密度泛函理论 | 第10-11页 |
| ·电子结构的表征 | 第11-18页 |
| ·Mulliken集居数分析 | 第11-14页 |
| ·能带结构 | 第14-17页 |
| ·周期性边界条件—布洛赫定理 | 第14-15页 |
| ·能带结构和能带结构图 | 第15-17页 |
| ·能带结构的计算—正交化平面波赝势方法 | 第17页 |
| ·总态密度(TDOS)和部分态密度(PDOS) | 第17-18页 |
| ·研究内容和思路 | 第18-19页 |
| 第2章 (C_6H_5C_2H_4NH_3)_2MI_4(M=Ge，Sn，Pb)体系的电子结构研究 | 第19-41页 |
| ·计算程序的相关介绍和设置 | 第19-20页 |
| ·计算程序的介绍 | 第19页 |
| ·计算程序的设置 | 第19-20页 |
| ·构建晶体模型 | 第20-23页 |
| ·计算结果分析 | 第23-41页 |
| ·Mulliken集居数分析 | 第23-26页 |
| ·能带结构分析 | 第26-35页 |
| ·能带和态密度的关系 | 第26页 |
| ·禁带宽度分析 | 第26-30页 |
| ·能带组成分析 | 第30-35页 |
| ·偏态密度图和成键分析 | 第35-41页 |
| ·偏态密度图中“共振”峰与成键的关系 | 第35-37页 |
| ·(C_6H_5C_2H_4NH_3)_2SuI_4的成键分析 | 第37-41页 |
| 第3章 (RNH_3)_2SnI_4体系的电子结构研究 | 第41-48页 |
| ·构建晶体模型 | 第41页 |
| ·计算结果分析 | 第41-48页 |
| ·Mulliken集居数分析 | 第41-44页 |
| ·能带结构和态密度分析 | 第44-48页 |
| 第4章 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 攻读硕士期间已发表或已接受的学术论文及专利 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54页 |
