射频磁控溅射法合成ZrW2O8薄膜的研究
| 第一章 绪论 | 第1-22页 |
| ·负热膨胀化合物材料 | 第10-17页 |
| ·负热膨胀化合物材料的负热膨胀机理 | 第11-13页 |
| ·ZrW_2O_8的结构和负热膨胀机理 | 第13-15页 |
| ·ZrW_2O_8的性质 | 第15页 |
| ·负热膨胀材料的应用 | 第15-17页 |
| ·射频磁控溅射技术 | 第17-20页 |
| ·射频辉光放电 | 第17-18页 |
| ·射频磁控溅射原理 | 第18-20页 |
| ·磁控溅射的特点 | 第20页 |
| ·本课题选题思想及研究内容 | 第20-21页 |
| ·本章小结 | 第21-22页 |
| 第二章 靶材制备、溅射参数的选择及薄膜制备 | 第22-33页 |
| ·原材料及基片的选择 | 第22页 |
| ·靶材的制备 | 第22-25页 |
| ·靶材的制备工艺 | 第22-24页 |
| ·溅射靶材的物相分析 | 第24-25页 |
| ·溅射参数的选择 | 第25-26页 |
| ·基片的清洗 | 第26-27页 |
| ·前驱体薄膜的制备 | 第27-30页 |
| ·射频磁控溅射沉积系统 | 第27-28页 |
| ·薄膜的制备 | 第28-29页 |
| ·沉积态薄膜的分析 | 第29-30页 |
| ·薄膜后热处理 | 第30-32页 |
| ·热处理装置 | 第30-31页 |
| ·热处理工艺的制定 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 薄膜性能表征 | 第33-41页 |
| ·膜厚分析 | 第33-35页 |
| ·不同溅射气氛下薄膜的厚度 | 第33-34页 |
| ·不同溅射时间下薄膜的厚度 | 第34页 |
| ·不同溅射功率下薄膜的厚度 | 第34-35页 |
| ·表面形貌分析 | 第35-38页 |
| ·不同溅射气压下薄膜的表面形貌 | 第35-38页 |
| ·不同溅射偏压下薄膜的表面形貌 | 第38页 |
| ·膜基结合力的测量 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 实验结果分析与讨论 | 第41-57页 |
| ·1号靶材溅射薄膜的研究 | 第41-48页 |
| ·不同工作气压下薄膜的物相与成分分析 | 第41-42页 |
| ·不同溅射气压下薄膜的物相与成分分析 | 第42-43页 |
| ·不同热处理温度时薄膜的形貌分析 | 第43-45页 |
| ·不同通氧工艺时薄膜的物相分析 | 第45-48页 |
| ·通氧时薄膜表面形貌分析 | 第48页 |
| ·2号靶材通氧工艺的对比研究 | 第48-51页 |
| ·物相分析 | 第49-50页 |
| ·形貌分析 | 第50-51页 |
| ·热膨胀性能的初探(1号靶材) | 第51-56页 |
| ·薄膜晶粒尺寸的计算 | 第51-52页 |
| ·薄膜热膨胀系数的测量 | 第52-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 薄膜生长机理分析 | 第57-60页 |
| ·薄膜生长过程 | 第57-58页 |
| ·非晶薄膜的形成机理 | 第58-59页 |
| ·热处理时薄膜的生长机理 | 第59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第六章 结论 | 第60-61页 |
| 第七章 工作展望 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 攻读硕士期间发表或待发表的论文 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
