| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-22页 |
| 1．1 单晶硅片的特性 | 第8-11页 |
| 1．1．1 单晶硅的结构特性 | 第8-9页 |
| 1．1．2 单晶硅片的外型及参考面 | 第9-10页 |
| 1．1．3 单晶硅的破裂模式 | 第10-11页 |
| 1．2 单晶硅片的制造 | 第11-16页 |
| 1．2．1 单晶硅的制备 | 第13页 |
| 1．2．2 单晶硅片的传统加工工艺流程 | 第13-14页 |
| 1．2．3 单晶硅片的加工工艺发展方向 | 第14-16页 |
| 1．3 大尺寸单晶硅片超精密磨削加工技术 | 第16-17页 |
| 1．4 硅片损伤层的模型 | 第17-19页 |
| 1．5 硅片损伤检测方法的研究现状 | 第19-20页 |
| 1．6 研究本课题的重要意义 | 第20页 |
| 1．7 课题的来源及研究目的 | 第20-21页 |
| 1．8 本课题研究的主要内容 | 第21-22页 |
| 2 超精密磨削单晶硅片表层损伤检测方法的试验研究 | 第22-47页 |
| 2．1 引言 | 第22页 |
| 2．2 表面检测方法的试验研究 | 第22-29页 |
| 2．2．1 光学显微镜的方法 | 第23-26页 |
| 2．2．2 三维表面形貌轮廓仪的方法 | 第26-28页 |
| 2．2．3 扫描电子显微镜的方法 | 第28-29页 |
| 2．3 亚表面损伤检测方法的试验研究 | 第29-46页 |
| 2．3．1 截面显微法的试验研究 | 第30-32页 |
| 2．3．2 角度抛光法的试验研究 | 第32-35页 |
| 2．3．3 分步腐蚀方法的试验研究 | 第35-40页 |
| 2．3．4 化学机械抛光方法的试验研究 | 第40-44页 |
| 2．3．5 透射电子显微镜方法的试验研究 | 第44-46页 |
| 2．4 本章小结 | 第46-47页 |
| 3 单晶硅片超精密磨削亚表面损伤深度分布的试验研究 | 第47-57页 |
| 3．1 引言 | 第47页 |
| 3．2 磨削硅片表面磨纹与亚表面损伤裂纹间的关系 | 第47-52页 |
| 3．2．1 利用#325砂轮磨削硅片的截面显微方法研究 | 第47-49页 |
| 3．2．2 利用#600砂轮磨削硅片的角度抛光方法研究 | 第49-50页 |
| 3．2．3 利用单颗粒金刚石划痕研究 | 第50-52页 |
| 3．3 磨削硅片亚表面损伤深度分布的试验研究 | 第52-56页 |
| 3．3．1 试验目的 | 第52页 |
| 3．3．2 试验条件与方法 | 第52-54页 |
| 3．3．3 试验结果与分析 | 第54-56页 |
| 3．4 本章小结 | 第56-57页 |
| 4 磨削参数与硅片亚表面损伤深度关系的试验研究 | 第57-66页 |
| 4．1 引言 | 第57页 |
| 4．2 试验关键设备 | 第57-58页 |
| 4．3 砂轮粒度与硅片亚表面损伤深度间的关系研究 | 第58-61页 |
| 4．4 砂轮进给速度与硅片亚表面损伤深度间的关系研究 | 第61-62页 |
| 4．5 砂轮转速与亚表面损伤深度间的关系研究 | 第62-63页 |
| 4．6 工作台转速与亚表面损伤深度间的关系研究 | 第63-65页 |
| 4．7 本章小结 | 第65-66页 |
| 5 结论与展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 大连理工大学学位论文版权使用授权书 | 第72页 |
