| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 前言 | 第7-27页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·单晶半导体表面 | 第8-10页 |
| ·Si(100),C(100)和Ge(100) | 第8-9页 |
| ·Si(111) | 第9-10页 |
| ·理论计算模型和方法 | 第10-11页 |
| ·Si(100)-2×1和Ge(100)-2×1面理论计算团簇模型 | 第10页 |
| ·Si(111)-7×7表面团簇模型 | 第10-11页 |
| ·有机小分子修饰半导体表面的研究 | 第11-17页 |
| ·Si(100) | 第11-16页 |
| ·非芳香有机分子的亲电亲核表面吸附反应 | 第12-13页 |
| ·非芳香有机分子的环化反应 | 第13-15页 |
| ·偶极加成反应 | 第15页 |
| ·芳香化合物 | 第15-16页 |
| ·Si(111)-7×7面 | 第16-17页 |
| ·本论文工作 | 第17-18页 |
| 参考文献 | 第18-27页 |
| 第二章 理论背景和计算方法 | 第27-43页 |
| ·引言 | 第27-28页 |
| ·从头计算法的选择 | 第27页 |
| ·基组的选择 | 第27-28页 |
| ·计算步骤 | 第28页 |
| ·密度泛函理论 | 第28-34页 |
| ·Hohenbergh-Kohn定理 | 第30-31页 |
| ·密度泛函理论的基本理论 | 第31-32页 |
| ·E_(XC)的近似表达方案 | 第32-34页 |
| ·振动频率的计算 | 第34-35页 |
| ·化学反应过渡态的计算方法 | 第35-38页 |
| ·计算方法 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-43页 |
| 第三章·吡嗪分子在Si(100)-2×1表面吸附的理论计算结果 | 第43-65页 |
| ·引言 | 第43-44页 |
| ·计算结果 | 第44-60页 |
| ·N1=C2[2+2]环加成 | 第44-48页 |
| ·N1=N4[4+2]环加成 | 第48-50页 |
| ·C=C环加成 | 第50-56页 |
| ·C-H解离 | 第56-59页 |
| ·形成bridge和tight-bridge结构 | 第59-60页 |
| ·讨论 | 第60-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 作者简介 | 第65页 |
| 硕士期间发表文章目录 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |