| 第一章 绪论 | 第1-20页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·SiC 的历史背景、特性及应用前景 | 第11-15页 |
| ·SiC 的历史背景 | 第11页 |
| ·SiC 的结构特性 | 第11-13页 |
| ·SiC 的主要性能 | 第13-14页 |
| ·SiC 的应用前景 | 第14-15页 |
| ·3C-SiC/Si 薄膜制备的研究现状 | 第15-18页 |
| ·沉积高质量3C-SiC 薄膜面临的主要问题及解决办法 | 第18-19页 |
| ·本文研究的主要任务 | 第19-20页 |
| 第二章 3C-SiC 薄膜的CVD 生长及表征方法 | 第20-26页 |
| ·MOCVD 设备简介 | 第20-21页 |
| ·3C-SiC 薄膜的生长工艺简介 | 第21-23页 |
| ·基片清洗 | 第22页 |
| ·碳化过程 | 第22-23页 |
| ·生长过程 | 第23页 |
| ·3C-SiC 薄膜的表征方法 | 第23-26页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第23-24页 |
| ·X 射线衍射(XRD) | 第24页 |
| ·反射高能电子衍射(RHEED) | 第24-25页 |
| ·X 射线光电子能谱(XPS) | 第25-26页 |
| 第三章 Si 的碳化工艺研究 | 第26-41页 |
| ·工艺参数对碳化层形貌的影响 | 第26-37页 |
| ·碳化时间对碳化层形貌的影响 | 第26-29页 |
| ·反应室气压对碳化层形貌的影响 | 第29-31页 |
| ·C 源气体的流量对碳化层形貌的影响 | 第31-33页 |
| ·碳化温度对碳化层形貌的影响 | 第33-36页 |
| ·不同种类的C 源气体对碳化层形貌的影响 | 第36-37页 |
| ·工艺参数对碳化层晶粒取向一致性的影响 | 第37-41页 |
| ·碳化温度对碳化层晶粒取向一致性的影响 | 第37-39页 |
| ·基片取向对碳化层晶粒取向一致性的影响 | 第39-41页 |
| 第四章 3C-SiC 的外延生长研究 | 第41-53页 |
| ·工艺参数对3C-SiC 薄膜晶粒取向一致性的影响 | 第41-46页 |
| ·碳化层质量对3C-SiC 薄膜晶粒取向一致性的影响 | 第41-43页 |
| ·C/Si 比对3C-SiC 薄膜晶粒取向一致性的影响 | 第43-44页 |
| ·生长温度对3C-SiC 薄膜晶粒取向一致性的影响 | 第44-46页 |
| ·工艺参数对3C-SiC 薄膜形貌的影响 | 第46-50页 |
| ·C/Si 比对3C-SiC 薄膜形貌的影响 | 第46-48页 |
| ·生长温度对3C-SiC 薄膜形貌的影响 | 第48-50页 |
| ·工艺参数对3C-SiC 薄膜成分的影响 | 第50-53页 |
| 第五章 结论 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第60页 |
