| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 GaN材料与器件的研究概况 | 第8-17页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·GaN半导体材料 | 第8-10页 |
| ·GaN器件及应用 | 第10-13页 |
| ·GaN光电探测器件的辐照效应 | 第13-14页 |
| ·论文的工作和重点 | 第14页 |
| 参考文献 | 第14-17页 |
| 第二章 实验原理 | 第17-30页 |
| ·半导体的光吸收 | 第17-21页 |
| ·本征吸收 | 第17-19页 |
| ·激子吸收 | 第19页 |
| ·自由载流子吸收 | 第19-20页 |
| ·杂质吸收 | 第20-21页 |
| ·光电探测器的工作原理和分类 | 第21-25页 |
| ·光电探测器的工作原理 | 第21-22页 |
| ·光电导型光电探测器的工作原理 | 第21页 |
| ·势垒型光电探测器的工作原理 | 第21-22页 |
| ·势垒型光电探测器的分类 | 第22-25页 |
| ·辐射对半导体材料和器件的影响 | 第25-29页 |
| ·位移损伤及缺陷退火 | 第26-27页 |
| ·位移损伤缺陷对宏观电参数的影响 | 第27页 |
| ·半导体器件的辐照损伤 | 第27-28页 |
| ·界面态的影响 | 第28页 |
| ·辐照对GaN紫外探测器的影响 | 第28-29页 |
| 参考文献 | 第29-30页 |
| 第三章 GaN Schottky二极管和GaN pn结二极管的制备 | 第30-37页 |
| ·GaN Schottky二极管的制备 | 第30-31页 |
| ·样品结构 | 第30-31页 |
| ·样品制备 | 第31页 |
| ·GaN pn结二极管的制备 | 第31-36页 |
| ·样品结构 | 第31-32页 |
| ·样品制备过程 | 第32-33页 |
| ·制备工艺分析 | 第33-36页 |
| ·小结 | 第36-37页 |
| 第四章 n-GaN肖特基势垒二极管的室温电子辐照效应 | 第37-45页 |
| ·实验 | 第37-38页 |
| ·结果与讨论 | 第38-44页 |
| ·室温无光照下电子辐照对样品的影响 | 第38-40页 |
| ·室温下光照对样品光敏特性的影响 | 第40-43页 |
| ·室温辐照后的低温退火研究 | 第43-44页 |
| ·小结 | 第44页 |
| 参考文献 | 第44-45页 |
| 第五章 n-GaN肖特基势垒二极管的高温电子辐照效应 | 第45-50页 |
| ·实验条件 | 第45页 |
| ·结果与讨论 | 第45-48页 |
| ·无光照下高温电子辐照对样品的影响 | 第45-47页 |
| ·高温电子辐照对GaN肖特基势垒紫外光探测器光敏特性的影响 | 第47-48页 |
| ·小结 | 第48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 总结 | 第50-51页 |
| 科研成果简介 | 第51-52页 |
| 声明 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53页 |
