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准一维纳米材料的制备及光学性能研究

第一章 绪论第1-23页
   ·引言第14页
   ·纳米材料的基本物理效应第14-15页
     ·量子尺寸效应第14-15页
     ·小体积效应第15页
     ·表面效应第15页
     ·宏观量子隧道效应第15页
   ·准一维纳米材料的制备方法第15-18页
     ·溶液—液态—固态法第16页
     ·热溶剂法第16页
     ·模板法第16-18页
       ·电化学沉积第16-17页
       ·化学沉积第17页
       ·化合聚合第17页
       ·溶胶-凝胶沉积方法第17-18页
       ·化学气相沉积第18页
   ·准一维纳米结构材料的生长机理第18-20页
     ·汽-液-固(VLS)晶体生长机制第18-19页
     ·气-固(VS)生长机制第19-20页
     ·催化剂诱导一维材料的生长第20页
   ·准一维纳米材料的发展趋势第20-21页
     ·准一维纳米材料的可控生长第20-21页
     ·单个纳米结构单元的性能的研究第21页
     ·准一维纳米材料为基础的纳米器件的制造第21页
   ·本论文提出的背景及研究内容第21-23页
第二章 阳极氧化铝模板制备工艺、表征研究第23-35页
   ·引言第23-24页
   ·实验方法第24-25页
     ·实验工艺流程第24-25页
     ·实验仪器第25页
     ·实验材料第25页
   ·氧化铝模板的制备第25-27页
     ·高纯铝片的前期处理第25-26页
     ·一次氧化及除膜第26页
     ·二次氧化及氧化膜的剥离第26页
     ·去除阻挡层第26-27页
     ·扩孔第27页
   ·实验结果及讨论第27-34页
     ·相结构分析第27-28页
     ·形貌分析第28-31页
     ·氧化铝模板有序性的影响因素第31-32页
       ·Al片热处理对有序性的影响第31页
       ·阳极氧化电压对有序性的影响第31页
       ·温度对有序性的影响第31-32页
       ·其它因素对有序性的影响第32页
     ·生长机制讨论第32-34页
       ·由电流的变化对生长机制的讨论第32-33页
       ·由电压的变化对生长机制的讨论第33-34页
   ·本章小结第34-35页
第三章 多孔阳极氧化铝模板的光学性质研究第35-43页
   ·引言第35页
   ·多孔阳极氧化铝模板的光吸收性质第35-37页
   ·多孔阳极氧化铝模板的光致发光性质第37-38页
     ·多孔阳极氧化铝模板的光致发光光谱第37-38页
     ·多孔阳极氧化铝膜的激发谱第38页
   ·热处理工艺对阳极氧化铝模板光学性能的影响第38-42页
     ·热处理工艺对阳极氧化铝模板光吸收性能的影响第38-40页
     ·热处理工艺对阳极氧化铝模板光致发光性能的影响第40-42页
   ·本章小结第42-43页
第四章 Cu、Ag纳米线及其阵列体系制备及光学性能研究第43-51页
   ·引言第43页
   ·Cu、Ag纳米线及其阵列体系的制备第43-44页
   ·Cu、Ag纳米线有序阵列体系的形貌及相结构表征第44-50页
     ·XRD分析第44-46页
     ·Cu、Ag纳米线及其阵列体系形貌分析:第46-47页
     ·Cu、Ag纳米线的SAED分析:第47-48页
     ·生长机制讨论第48页
     ·Cu、Ag纳米阵列体系的光吸收性能第48-50页
   ·本章小结第50-51页
第五章 TiO_2/Al_2O_3组装体系制备工艺、表征及光学性能研究第51-59页
   ·前言第51-52页
   ·实验器材第52页
     ·化学试剂第52页
     ·实验仪器第52页
   ·TiO_2溶胶及TiO_2纳米线的制备第52-53页
   ·TiO_2溶胶制备机理讨论第53页
   ·TiO_2纳米线的结构及形貌表征第53-55页
     ·TiO_2纳米线的XRD表征第53-54页
     ·ZiO_2纳米线的形貌分析第54-55页
     ·TiO_2纳米线的SAED分析:第55页
   ·TiO_2纳米线的生长机制讨论第55-56页
   ·TiP_2/Al_2O_3组装体系阵列光致发光性能第56-58页
     ·TiO_2/Al_2O_3组装体系阵列室温下的光致发光性能第56-57页
     ·热处理温度对TiO_2/Al_2O_3组装体系阵列光致发光性能的影响第57-58页
   ·本章小结第58-59页
第六章 全文总结与展望第59-61页
参考文献第61-65页

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