| 第一章 引言 | 第1-24页 |
| ·研究太阳能电池的意义 | 第9-11页 |
| ·太阳电池的发展及现状 | 第11-20页 |
| ·多晶硅薄膜太阳电池研究开发和产业化开发现状 | 第20-22页 |
| ·开题思想 | 第22-24页 |
| 第二章 硅薄膜的再结晶技术概述 | 第24-32页 |
| ·固相晶化技术(SPC) | 第24-29页 |
| ·区域熔化再结晶(ZMR) | 第29-32页 |
| 第三章 快速热退火(RTA)技术的研究 | 第32-49页 |
| ·快速热退火设备 | 第32-33页 |
| ·退火条件和沉积条件对a-Si:H薄膜晶化的影响 | 第33-43页 |
| ·晶化后的多晶硅薄膜的表面形貌 | 第43-44页 |
| ·脉冲快速光热退火制备多晶硅薄膜 | 第44-46页 |
| ·快速热退火机理的初步探索 | 第46-49页 |
| 第四章 常规高温炉退火 | 第49-54页 |
| ·多晶硅薄膜的结晶度的研究 | 第49-53页 |
| ·多晶硅薄膜的晶粒尺寸和暗电导率的研究 | 第53-54页 |
| 第五章 总结 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 附录 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |